処理中

しばらくお待ちください...

設定

設定

出願の表示

1. KR1020090115717 - SILICON WAFER BEVELING DEVICE, SILICON WAFER MANUFACTURING METHOD, AND ETCHED SILICON WAFER

官庁
大韓民国
出願番号 1020097016139
出願日 17.01.2008
公開番号 1020090115717
公開日 05.11.2009
特許番号 1014609930000
特許付与日 13.11.2014
公報種別 B1
IPC
B24B 9/00
B処理操作;運輸
24研削;研磨
B研削または研磨するための機械,装置,または方法;研削面のドレッシングまたは正常化;研削剤,研磨剤,またはラッピング剤の供給
9工作物の端部または斜面を研削またはバリ除去のために設計された機械または装置;そのための附属装置
H01L 21/02
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
H01L 21/304
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
304機械的処理,例.研摩,ポリシング,切断
出願人 SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.
신에쯔 한도타이 가부시키가이샤
発明者 KATO TADAHIRO
카토, 타다히로
代理人 특허법인씨엔에스
優先権情報 JP-P-2007-021540 31.01.2007 JP
発明の名称
(EN) SILICON WAFER BEVELING DEVICE, SILICON WAFER MANUFACTURING METHOD, AND ETCHED SILICON WAFER
(KO) 실리콘 웨이퍼의 면취 장치 및 실리콘 웨이퍼의 제조방법 그리고 에치드 실리콘 웨이퍼
要約
(EN)
A silicon wafer beveling device for beveling the edge of a silicon wafer by means a beveling grindstone has at least a holding jig for holding a silicon wafer and rotating it, a beveling grindstone for beveling the edge of the held silicon wafer, and a controller for numerically controlling the relative positions of the edge of the silicon wafer and the beveling grindstone and controlling the beveled shape. The controller makes a control to change the relative positions of the edge of the silicon wafer and the beveling grindstone when the silicon wafer is beveled according to the circumferential position of the held silicon wafer. A silicon wafer manufacturing method and an etched silicon wafer are also disclosed. Therefore, the variation of the cross-section shape dimension of the beveled portion after the etching step can be reduced. COPYRIGHT KIPO&WIPO 2010

(KO)
본 발명은, 면취 지석을 이용해 실리콘 웨이퍼의 외주부를 면취하는 실리콘 웨이퍼의 면취 장치로서, 적어도, 실리콘 웨이퍼를 유지함과 함께 이것을 회전시키는 유지구와, 유지구에 유지된 실리콘 웨이퍼의 외주부를 면취하는 면취 지석과, 실리콘 웨이퍼의 외주부와 면취 지석의 상대 위치를 수치 제어에 의해 제어하여 면취 형상을 제어하기 위한 제어 장치를 구비하고, 제어 장치는, 상기 유지구에 유지된 실리콘 웨이퍼의 원주 방향의 위치에 따라, 면취할 때의 실리콘 웨이퍼의 외주부와 면취 지석의 상대 위치를 변경 제어하는 것인 실리콘 웨이퍼의 면취 장치 및 제조방법 그리고 에치드 실리콘 웨이퍼이다. 이것에 의해, 에칭 공정 후의 면취부의 단면 형상 치수의 편차를 억제할 수 있는 실리콘 웨이퍼의 면취 장치 및 제조방법 그리고 에치드 실리콘 웨이퍼가 제공된다.