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1. JP2018186478 - 固体撮像素子、撮像装置、および、固体撮像素子の制御方法

官庁 日本
出願番号 2017139567
出願日 19.07.2017
公開番号 2018186478
公開日 22.11.2018
公報種別 A
IPC
H04N 5/3745
H電気
04電気通信技術
N画像通信,例.テレビジョン
5テレビジョン方式の細部
30光または類似信号から電気信号への変換
335固体撮像素子を用いるもの
369固体撮像素子の構造,固体撮像素子と関連する回路に特徴のあるもの
374アドレス型センサ,例.MOS型ないしはCMOS型センサ
37451つの画素もしくはセンサマトリクス中の画素グループに接続された付加的構成を有しているもの,例.メモリ,A/D変換器,画素増幅器,共用回路もしくは共用の構成
CPC
H04N 5/349
HELECTRICITY
04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
5Details of television systems
30Transforming light or analogous information into electric information
335using solid-state image sensors [SSIS]
341Extracting pixel data from an image sensor by controlling scanning circuits, e.g. by modifying the number of pixels having been sampled or to be sampled
349for increasing resolution by shifting the sensor relative to the scene ; , e.g. microscanning
H04N 5/351
HELECTRICITY
04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
5Details of television systems
30Transforming light or analogous information into electric information
335using solid-state image sensors [SSIS]
351Control of the SSIS depending on the scene, e.g. brightness or motion in the scene
H04N 5/37455
HELECTRICITY
04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
5Details of television systems
30Transforming light or analogous information into electric information
335using solid-state image sensors [SSIS]
369SSIS architecture; Circuitry associated therewith
374Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
3745having additional components embedded within a pixel or connected to a group of pixels within a sensor matrix, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components
37455comprising A/D, V/T, V/F, I/T or I/F converters
H04N 5/37457
HELECTRICITY
04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
5Details of television systems
30Transforming light or analogous information into electric information
335using solid-state image sensors [SSIS]
369SSIS architecture; Circuitry associated therewith
374Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
3745having additional components embedded within a pixel or connected to a group of pixels within a sensor matrix, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components
37457comprising amplifiers shared between a plurality of pixels, e.g. at least one part of the amplifier has to be on the sensor array itself
出願人 SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORP
ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社
発明者 SAKAKIBARA MASAKI
榊原 雅樹
KAWASAKI RYOHEI
川崎 凌平
代理人 丸島 敏一
優先権情報 2017086006 25.04.2017 JP
発明の名称
(EN) SOLID-STATE IMAGING DEVICE, IMAGING APPARATUS AND CONTROL METHOD FOR SOLID-STATE IMAGING DEVICE
(JA) 固体撮像素子、撮像装置、および、固体撮像素子の制御方法
要約
(EN)

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a solid-state imaging device, detecting an address event, capable of picking up an image with high quality.

SOLUTION: The solid-state imaging device includes a pixel array part formed by arranging a plurality of pixels including specific pixels in a two-dimensional lattice shape. The specific pixel includes a pixel circuit and two analog-digital converters. The pixel circuit outputs two analog signals corresponding to the amount of charges generated by photoelectric conversion. The two analog-digital converters convert each of analog signals into a digital signal by different resolution from each other.

SELECTED DRAWING: Figure 9

COPYRIGHT: (C)2019,JPO&INPIT

(JA)

【課題】アドレスイベントを検出する固体撮像素子において、高画質の画像を撮像する。
【解決手段】固体撮像素子は、特定画素を含む複数の画素が二次元格子状に配列された画素アレイ部を具備する。その特定画素は、画素回路と2つのアナログデジタル変換器とを備える。画素回路は、光電変換により生じた電荷の量に応じた2つのアナログ信号を出力する。2つのアナログデジタル変換器は、2つのアナログ信号のそれぞれを互いに異なる分解能によりデジタル信号に変換する。
【選択図】図9