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1. JP2017204626 - 基板加工方法および基板加工装置

官庁 日本
出願番号 2016215256
出願日 02.11.2016
公開番号 2017204626
公開日 16.11.2017
公報種別 A
IPC
H01L 21/304
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
304機械的処理,例.研摩,ポリシング,切断
B23K 26/00
B処理操作;運輸
23工作機械;他に分類されない金属加工
Kハンダ付またはハンダ離脱;溶接;ハンダ付または溶接によるクラッドまたは被せ金;局部加熱による切断,例.火炎切断:レーザービームによる加工
26レーザービームによる加工,例.溶接,切断または穴あけ
B23K 26/53
B処理操作;運輸
23工作機械;他に分類されない金属加工
Kハンダ付またはハンダ離脱;溶接;ハンダ付または溶接によるクラッドまたは被せ金;局部加熱による切断,例.火炎切断:レーザービームによる加工
26レーザービームによる加工,例.溶接,切断または穴あけ
50レーザービームに対して透明である加工物の加工
53加工物の内部に改質または変質部を形成するためのもの,例.破断の起点となる亀裂の形成
出願人 SAITAMA UNIV
国立大学法人埼玉大学
SHIN ETSU POLYMER CO LTD
信越ポリマー株式会社
発明者 IKENO JUNICHI
池野 順一
YAMADA YOHEI
山田 洋平
SUZUKI HIDEKI
鈴木 秀樹
MATSUO RIKA
松尾 利香
代理人 三好 秀和
高橋 俊一
伊藤 正和
高松 俊雄
優先権情報 2016093084 06.05.2016 JP
発明の名称
(EN) SUBSTRATE PROCESSING METHOD AND SUBSTRATE PROCESSING DEVICE
(JA) 基板加工方法および基板加工装置
要約
(EN)

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a substrate processing method and a substrate processing device that process an object crystal substrate to be processed into a processing layer-containing substrate for obtaining a chipping-free hollowed crystal substrate.

SOLUTION: A substrate processing method comprises a first process of arranging laser light condensing means 12 on an irradiated surface 20u of a processing object crystal substrate 20a not in contact. Further, the substrate processing method includes a second process of changing a condensation position Bf of the laser light B in a circumferential direction and a thickness direction of a hollowing object part 20b of the processing object crystal substrate 20a while condensing laser light B into the processing object crystal substrate 20a by the laser light condensing means 12, and then forming a processed layer 22 which has decreased in rupture strength on an outer peripheral side of the hollowing object part 20b to obtain the processed layer-containing substrate 20c. In the second process, output of the laser light B entering the laser condensing means 12 is so controlled that a processing trace generated at the condensing position Bf of the laser light B does not expand along a crystal azimuth of the processing object crystal substrate 20a in the processing object crystal substrate 20a and nearby at least one processing object crystal substrate surface.

SELECTED DRAWING: Figure 2

COPYRIGHT: (C)2018,JPO&INPIT

(JA)

【課題】加工対象結晶基板を、欠けのないくり抜き結晶基板を得るための加工層含有基板に加工する基板加工方法および基板加工装置を提供することを課題とする。
【解決手段】レーザ集光手段12を加工対象結晶基板20aの被照射面20u上に非接触に配置する第1工程を行う。そしてレーザ集光手段12により加工対象結晶基板20a内部にレーザ光Bを集光しつつ、レーザ光Bの集光位置Bfを加工対象結晶基板20aのくり抜き対象部20bの周囲方向および厚み方向に変化させ、破断強度が低下した加工層22をくり抜き対象部20bの外周側に形成することで加工層含有基板20cとする第2工程を行う。第2工程では、加工対象結晶基板20a内部および少なくとも一方の加工対象結晶基板面近傍で、レーザ光Bの集光位置Bfに生じる加工痕が加工対象結晶基板20aの結晶方位に沿って伸張しないようにレーザ集光手段12に入射するレーザ光Bの出力を制御する。
【選択図】図2