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1. JP2017195244 - SiCウエーハの加工方法

官庁 日本
出願番号 2016083591
出願日 19.04.2016
公開番号 2017195244
公開日 26.10.2017
特許番号 6685817
特許付与日 03.04.2020
公報種別 B2
IPC
H01L 21/304
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
304機械的処理,例.研摩,ポリシング,切断
B24B 7/22
B処理操作;運輸
24研削;研磨
B研削または研磨するための機械,装置,または方法;研削面のドレッシングまたは正常化;研削剤,研磨剤,またはラッピング剤の供給
7平担なガラス面の研磨を含む工作物の平面を研削するために設計された機械または装置;そのための附属装置
20研削されるべき非金属物体の材質の特性に対する特別な設計により特徴づけられるもの
22無機材料,例.石,セラミック,磁器,を研削するもの
H01L 21/02
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
出願人 DISCO ABRASIVE SYST LTD
株式会社ディスコ
発明者 SUZUKI KATSUHIKO
鈴木 克彦
代理人 小野 尚純
奥貫 佐知子
鹿角 剛二
金子 吉文
発明の名称
(EN) SiC WAFER PROCESSING METHOD
(JA) SiCウエーハの加工方法
要約
(EN)

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a SiC wafer processing method capable of reducing a wear volume of an abrasive wheel.

SOLUTION: A SiC wafer processing method comprises: an annular groove formation process of forming an annular groove 34 from a second surface side of a wafer 2 on a boundary between a device region and an outer peripheral redundant region with a thickness corresponding to a finished thickness left on a first surface side; a removal surface formation process of positioning a light focusing point on a position corresponding to the finished thickness from the first surface side and irradiating laser beams of a wavelength having permeability to SiC thereby to form a removal surface 48 in the device region; and a device formation process of forming a plurality of devices. The device formation process is performed after the removal surface formation process. The SiC wafer processing method further includes after performing the annular groove formation process, the removal surface formation process and the device formation process: a thinning process of removing a part 68 on the second surface side which is located inside the annular groove by making the removal face serve as a boundary face thereby to thin the device region and forming an annular reinforcement part 70 at the same time; and a flattening process of grinding the removal surface after performing the thinning process.

SELECTED DRAWING: Figure 7

COPYRIGHT: (C)2018,JPO&INPIT

(JA)

【課題】研削砥石の摩耗量を低減することができるSiCウエーハの加工方法を提供する。
【解決手段】ウェハ2の、仕上がり厚みに相当する厚みを第1の面側に残して、デバイス領域と外周余剰領域との境界部に第2の面側から環状溝34を形成する環状溝形成工程と、第1の面側からみて仕上がり厚みに相当する位置に集光点を位置付け、SiCに対して透過性を有する波長のレーザー光線を照射することによってデバイス領域に剥離面48を形成する剥離面形成工程と、複数のデバイスを形成するデバイス形成工程とを含む。デバイス形成工程は、剥離面形成工程よりも後に実施し、環状溝形成工程、剥離面形成工程及びデバイス形成工程を実施した後、剥離面を界面として環状溝の内側の第2の面側の部分68を剥離してデバイス領域を薄化すると共に環状補強部70を形成する薄化工程を実施し、実施後、剥離面を研削する平坦化工程を実施する。
【選択図】図7