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1. JP2016111218 - 有機半導体装置およびその製造方法

官庁
日本
出願番号 2014247830
出願日 08.12.2014
公開番号 2016111218
公開日 20.06.2016
特許番号 6314807
特許付与日 06.04.2018
公報種別 B2
IPC
H01L 21/336
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
334ユニポーラ型の装置の製造のための多段階工程
335電界効果トランジスタ
336絶縁ゲートを有するもの
H01L 29/786
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部
66半導体装置の型
68整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76ユニポーラ装置
772電界効果トランジスタ
78絶縁ゲートによって生じる電界効果を有するもの
786薄膜トランジスタ
H01L 51/05
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
51能動部分として有機材料を用い,または能動部分として有機材料と他の材料との組み合わせを用いる固体装置;このような装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
05整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用されるものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するコンデンサーまたは抵抗器
H01L 51/40
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
51能動部分として有機材料を用い,または能動部分として有機材料と他の材料との組み合わせを用いる固体装置;このような装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
05整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用されるものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するコンデンサーまたは抵抗器
40このような装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
出願人 DENSO CORP
株式会社デンソー
発明者 KATO HIROMICHI
加藤 博道
KATAYAMA MASAYUKI
片山 雅之
代理人 特許業務法人ゆうあい特許事務所
発明の名称
(EN) ORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
(JA) 有機半導体装置およびその製造方法
要約
(EN)

PROBLEM TO BE SOLVED: To narrow a crystallinity deteriorated region at one end side that is a terminal of coating in an organic semiconductor membrane as possible while securing tight adhesion between the end side and a substrate in an organic semiconductor device that is configured by forming the organic semiconductor membrane by coating a surface of the substrate with a solution and drying the solution.

SOLUTION: The organic semiconductor device comprises; a substrate 10 on the surface of which a lyophilic region 11 and a liquid-repellent region 12 are formed; and an organic semiconductor membrane 40 that is a film disposed in the lyophilic region 11 and forming a line-shaped pattern extending from one end 41 to other end 42, and formed by applying and drying the solution in a direction from the one end 41 to the other end 42. In the organic semiconductor membrane 40, a side of the other end 42 is made to be a projection 43 that is thicker than a portion at a side of the one end 41. A portion at the side closer to the other end 42 including the projection 43 is made to be a tapered part 44 which has a tapered shape in which a pattern line width is narrower than at the portion at the side of the one end 41 and the pattern line width is decreased continuously towards the other end 42.

SELECTED DRAWING: Figure 1

COPYRIGHT: (C)2016,JPO&INPIT

(JA)

【課題】基板の表面に溶液を塗布して乾燥させることにより有機半導体薄膜を形成してなる有機半導体装置において、有機半導体薄膜における塗布の終端である他端側と基板との密着性を確保しつつ、当該他端側における結晶性の悪化領域を極力狭くする。
【解決手段】表面に親液性領域11と撥液性領域12とが形成された基板10と、親液性領域11に配置され一端41から他端42に向かって延びるライン状パターンをなす膜であって、一端41から他端42に向かう方向に溶液を塗布して乾燥させることにより形成された有機半導体薄膜40と、を備え、有機半導体薄膜40においては、他端42側は一端41側の部分に比べて肉厚の隆起部43とされ、この隆起部43を含む他端42側の部分は、一端41側の部分に比べてパターン線幅が小さく且つ他端42に向かうにつれてパターン線幅が連続的に減少していく先細り形状を有する先細り部44とされている。
【選択図】図1