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1. JP2016043401 - 基板加工方法及び基板

官庁 日本
出願番号 2014171525
出願日 26.08.2014
公開番号 2016043401
公開日 04.04.2016
特許番号 6395210
特許付与日 07.09.2018
公報種別 B2
IPC
B23K 26/53
B処理操作;運輸
23工作機械;他に分類されない金属加工
Kハンダ付またはハンダ離脱;溶接;ハンダ付または溶接によるクラッドまたは被せ金;局部加熱による切断,例.火炎切断:レーザービームによる加工
26レーザービームによる加工,例.溶接,切断または穴あけ
50レーザービームに対して透明である加工物の加工
53加工物の内部に改質または変質部を形成するためのもの,例.破断の起点となる亀裂の形成
B23K 26/00
B処理操作;運輸
23工作機械;他に分類されない金属加工
Kハンダ付またはハンダ離脱;溶接;ハンダ付または溶接によるクラッドまたは被せ金;局部加熱による切断,例.火炎切断:レーザービームによる加工
26レーザービームによる加工,例.溶接,切断または穴あけ
H01L 21/304
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
304機械的処理,例.研摩,ポリシング,切断
出願人 SHIN ETSU POLYMER CO LTD
信越ポリマー株式会社
SAITAMA UNIV
国立大学法人埼玉大学
発明者 SUZUKI HIDEKI
鈴木 秀樹
SHINOZUKA NOBUHIRO
篠塚 信裕
MATSUO RIKA
松尾 利香
IKENO JUNICHI
池野 順一
代理人 三好 秀和
高橋 俊一
伊藤 正和
高松 俊雄
発明の名称
(EN) SUBSTRATE PROCESSING METHOD AND SUBSTRATE
(JA) 基板加工方法及び基板
要約
(EN)

PROBLEM TO BE SOLVED: To shorten a processing time and peel stably.

SOLUTION: A substrate processing method of processing a single crystal silicon substrate, includes: a process of supporting and rotationally driving a substrate 10; a process of dividing a surface 20t of the substrate 10 into blocks from first 201 to fourth 204 depending on a distance from a rotation axis by using the rotation axis of the substrate 10 as a reference; and a process of forming a processing layer 21 by irradiating the surface 20t of the blocks from first 201 to fourth 204 with laser beams at laser irradiation parts from first 1501 to fourth 1504 on the blocks from first 201 to fourth 204, and condensing the laser beams inside the substrate 10. The laser irradiation parts from first 1501 to fourth 1504 include diffraction optical elements from first 1601 to fourth 1604.

SELECTED DRAWING: Figure 1

COPYRIGHT: (C)2016,JPO&INPIT

(JA)

【課題】加工時間を短縮するとともに安定した剥離を実現する。
【解決手段】単結晶シリコン基板を加工する基板加工方法であって、基板10を支持して回転駆動する工程と、基板10の回転軸を基準として、回転軸からの距離に応じて基板10の表面20tを第1〜第4のブロック201〜4に分割する工程と、第1〜第4のブロック201〜4について、第1〜第4のレーザ照射部1501〜4にて第1〜第4のブロック201〜4の表面20tに向けてレーザ光を照射し、基板10内部にレーザ光を集光して加工層21を形成する工程と、を含み、第1〜第4のレーザ照射部1501〜4は第1〜第4の回折光学素子1601〜4を含んでいる。
【選択図】図1