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1. JP2015088715 - 有機薄膜トランジスタの製造方法および有機薄膜トランジスタ

官庁
日本
出願番号 2013253394
出願日 06.12.2013
公開番号 2015088715
公開日 07.05.2015
公報種別 A
IPC
H01L 21/336
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
334ユニポーラ型の装置の製造のための多段階工程
335電界効果トランジスタ
336絶縁ゲートを有するもの
H01L 29/786
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部
66半導体装置の型
68整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76ユニポーラ装置
772電界効果トランジスタ
78絶縁ゲートによって生じる電界効果を有するもの
786薄膜トランジスタ
H01L 51/05
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
51能動部分として有機材料を用い,または能動部分として有機材料と他の材料との組み合わせを用いる固体装置;このような装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
05整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用されるものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するコンデンサーまたは抵抗器
出願人 富士フイルム株式会社
発明者 前原 佳紀
代理人 渡辺 望稔
三和 晴子
伊東 秀明
三橋 史生
優先権情報 2013198267 25.09.2013 JP
発明の名称
(JA) 有機薄膜トランジスタの製造方法および有機薄膜トランジスタ
要約
(JA)

【課題】有機半導体層の膜厚の均一性が良好な有機薄膜トランジスタの製造方法、および、この製造方法で形成された有機薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】ゲート電極をパターン形成する第1の工程、ゲート電極を覆って、ゲート絶縁層となる絶縁体層を形成する第2の工程、絶縁体層の上に、有機半導体層に対応する第1の犠牲膜をパターン形成する第3の工程、絶縁体層をエッチングして、ゲート絶縁層を形成する第4の工程、表面に、有機半導体層となる塗布溶液に対する撥液処理を行う第5の工程、第1の犠牲膜を除去する第6の工程、および、表面に塗布溶液を塗布する第7の工程を行うことにより、この課題を解決する。
【選択図】図1