(EN) PROBLEM TO BE SOLVED: To bond a processed substrate and a support substrate appropriately.
SOLUTION: A bonding system 1 for bonding a processed wafer W and a support wafer S includes bonding devices 31-33 for bonding a processed wafer W and a support wafer S via an adhesive, and a heat treatment device 30 performing heat treatment of a superimposed wafer T bonded by the bonding device 31-33 so that the outer peripheral part of the superimposed wafer T is heat treated at a higher temperature than the central part. The heat treatment device 30 has an annular heating mechanism for heating the outer peripheral part of the superimposed wafer T. The heat treatment device 30 can house a plurality of superimposed wafers T and can perform heat treatment thereof. The interior of the heat treatment device 30 can be maintained in inert gas atmosphere.
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【課題】被処理基板と支持基板の接合を適切に行う。
【解決手段】被処理ウェハＷと支持ウェハＳを接合する接合システム１は、接着剤を介して、被処理ウェハＷと支持ウェハＳを接合する接合装置３１〜３３と、接合装置３１〜３３で接合された重合ウェハＴに対して、当該重合ウェハＴの外周部を中心部よりも高い温度で熱処理を行う熱処理装置３０と、を有する。熱処理装置３０は、重合ウェハＴの外周部を加熱する環状の加熱機構を有する。熱処理装置３０は、複数の重合ウェハＴを収容して熱処理可能である。熱処理装置３０の内部は、不活性ガス雰囲気に維持可能である。
【選択図】図１