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1. JP2013247280 - 接合システム、接合方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体

官庁 日本
出願番号 2012120902
出願日 28.05.2012
公開番号 2013247280
公開日 09.12.2013
特許番号 5869960
特許付与日 15.01.2016
公報種別 B2
IPC
H01L 21/02
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
H01L 21/683
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
67製造または処理中の半導体または電気的固体装置の取扱いに特に適用される装置;半導体または電気的固体装置もしくは構成部品の製造または処理中のウエハの取扱いに特に適用される装置
683支持または把持のためのもの
出願人 TOKYO ELECTRON LTD
東京エレクトロン株式会社
発明者 DEGUCHI MASATOSHI
出口 雅敏
HONDA MASARU
本田 勝
代理人 金本 哲男
亀谷 美明
萩原 康司
発明の名称
(EN) BONDING SYSTEM, BONDING METHOD, PROGRAM AND COMPUTER STORAGE MEDIUM
(JA) 接合システム、接合方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
要約
(EN)

PROBLEM TO BE SOLVED: To bond a processed substrate and a support substrate appropriately.

SOLUTION: A bonding system 1 for bonding a processed wafer W and a support wafer S includes bonding devices 31-33 for bonding a processed wafer W and a support wafer S via an adhesive, and a heat treatment device 30 performing heat treatment of a superimposed wafer T bonded by the bonding device 31-33 so that the outer peripheral part of the superimposed wafer T is heat treated at a higher temperature than the central part. The heat treatment device 30 has an annular heating mechanism for heating the outer peripheral part of the superimposed wafer T. The heat treatment device 30 can house a plurality of superimposed wafers T and can perform heat treatment thereof. The interior of the heat treatment device 30 can be maintained in inert gas atmosphere.

COPYRIGHT: (C)2014,JPO&INPIT

(JA)

【課題】被処理基板と支持基板の接合を適切に行う。
【解決手段】被処理ウェハWと支持ウェハSを接合する接合システム1は、接着剤を介して、被処理ウェハWと支持ウェハSを接合する接合装置31〜33と、接合装置31〜33で接合された重合ウェハTに対して、当該重合ウェハTの外周部を中心部よりも高い温度で熱処理を行う熱処理装置30と、を有する。熱処理装置30は、重合ウェハTの外周部を加熱する環状の加熱機構を有する。熱処理装置30は、複数の重合ウェハTを収容して熱処理可能である。熱処理装置30の内部は、不活性ガス雰囲気に維持可能である。
【選択図】図1