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1. JP2012109341 - 半導体材料の切断方法と切断装置

官庁 日本
出願番号 2010255814
出願日 16.11.2010
公開番号 2012109341
公開日 07.06.2012
公報種別 A
IPC
H01L 21/304
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
304機械的処理,例.研摩,ポリシング,切断
B23K 26/08
B処理操作;運輸
23工作機械;他に分類されない金属加工
Kハンダ付またはハンダ離脱;溶接;ハンダ付または溶接によるクラッドまたは被せ金;局部加熱による切断,例.火炎切断:レーザービームによる加工
26レーザービームによる加工,例.溶接,切断または穴あけ
08レーザービームと加工物とが相対移動する装置
B23K 26/38
B処理操作;運輸
23工作機械;他に分類されない金属加工
Kハンダ付またはハンダ離脱;溶接;ハンダ付または溶接によるクラッドまたは被せ金;局部加熱による切断,例.火炎切断:レーザービームによる加工
26レーザービームによる加工,例.溶接,切断または穴あけ
36材料の除去
38穴あけまたは切断
B23K 26/40
B処理操作;運輸
23工作機械;他に分類されない金属加工
Kハンダ付またはハンダ離脱;溶接;ハンダ付または溶接によるクラッドまたは被せ金;局部加熱による切断,例.火炎切断:レーザービームによる加工
26レーザービームによる加工,例.溶接,切断または穴あけ
36材料の除去
40材料の性質を考慮したもの
B28D 5/00
B処理操作;運輸
28セメント,粘土,または石材の加工
D石材または石材類似材料の加工
5宝石類,結晶体の精密加工,例.半導体の材料;そのための装置
出願人 SHIBUYA KOGYO CO LTD
澁谷工業株式会社
発明者 KOSEKI RYOJI
小関 良治
代理人 神崎 真一郎
神崎 真
発明の名称
(EN) SLICING METHOD AND SLICING DEVICE OF SEMICONDUCTOR MATERIAL
(JA) 半導体材料の切断方法と切断装置
要約
(EN)

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a slicing method of a semiconductor material for slicing a silicon wafer 2S having a predetermined thickness t from a silicon ingot 2 without being affected by internal crystal orientation.

SOLUTION: In a slicing method of a semiconductor materia, first of all, a circumferential direction groove 2D is formed on an outer peripheral surface 2B of a silicon ingot 2 by a scriber 4A. Next, a first laser beam L1 and a second laser beam L2 are superposed to be irradiated onto the circumferential direction groove 2D from an end surface 2A side. Thereafter, both laser beams L1 and L2 are moved relatively on a spiral moving trajectory along a plane-to-be-sliced 2E. Thereby, the plane-to-be-sliced 2E and a part adjacent to it are modified into a modified region 2F without having crystal orientation by the first laser beam L1, and the second laser beam L2 is irradiated onto the modified region 2F. Thereby, a crack 20 generated in the circumferential direction groove 2D propagates in a radial direction to slice a silicon wafer 2S.

COPYRIGHT: (C)2012,JPO&INPIT

(JA)

【解決手段】 先ず、シリコンインゴット2の外周面2Bにスクライバ4Aによって円周方向溝2Dを形成する。次に、第1のレーザ光L1と第2のレーザ光L2を重畳させて端面2A側から円周方向溝2Dに照射し、その後、両レーザ光L1、L2を割断予定面2Eに沿って渦巻状の移動軌跡で相対移動させる。これにより、第1のレーザ光L1によって割断予定面2Eとその隣接箇所は結晶方位のない改質領域2Fに改質され、そこに第2のレーザ光L2が照射される。そのため、円周方向溝2Dに生じたクラック20が半径方向に進展してシリコンウェハ2Sが切り出される。
【効果】 内部の結晶方位の影響を受けることなく、シリコンインゴット2から所定厚さtのシリコンウェハ2Sを切り出すことができる。
【選択図】 図2