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1. JP2007251080 - プラスチック基板の固定方法、回路基板およびその製造方法

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官庁 日本
出願番号 2006075975
出願日 20.03.2006
公開番号 2007251080
公開日 27.09.2007
公報種別 A
IPC
H01L 21/336
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
334ユニポーラ型の装置の製造のための多段階工程
335電界効果トランジスタ
336絶縁ゲートを有するもの
G02F 1/1368
G物理学
02光学
F光の強度,色,位相,偏光または方向の制御,例.スイッチング,ゲーテイング,変調または復調のための装置または配置の媒体の光学的性質の変化により,光学的作用が変化する装置または配置;そのための技法または手順;周波数変換;非線形光学;光学的論理素子;光学的アナログ/デジタル変換器
1独立の光源から到達する光の強度,色,位相,偏光または方向の制御のための装置または配置,例.スィッチング,ゲーテイングまたは変調;非線形光学
01強度,位相,偏光または色の制御のためのもの
13液晶に基づいたもの,例.単一の液晶表示セル
133構造配置;液晶セルの作動;回路配置
136半導体の層または基板と構造上組み合された液晶セル,例.集積回路の一部を構成するセル
1362アクティブマトリックスセル
1368スイッチング素子が三端子の素子であるもの
H01L 21/02
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
H01L 27/12
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
271つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
02整流,発振,増幅またはスイッチングに特に適用される半導体構成部品を含むものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する集積化された受動回路素子を含むもの
12基板が半導体本体以外のもの,例.絶縁体本体
H01L 29/786
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部
66半導体装置の型
68整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76ユニポーラ装置
772電界効果トランジスタ
78絶縁ゲートによって生じる電界効果を有するもの
786薄膜トランジスタ
CPC
B32B 37/0076
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
32LAYERED PRODUCTS
BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
37Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding
0076characterised in that the layers are not bonded on the totality of their surfaces
B32B 37/12
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
32LAYERED PRODUCTS
BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
37Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding
12characterised by using adhesives
H01L 21/6835
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
683for supporting or gripping
6835using temporarily an auxiliary support
H01L 2221/68318
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2221Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
67Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
683for supporting or gripping
68304using temporarily an auxiliary support
68318Auxiliary support including means facilitating the separation of a device or wafer from the auxiliary support
H01L 2221/6835
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2221Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
67Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
683for supporting or gripping
68304using temporarily an auxiliary support
6835used as a support during build up manufacturing of active devices
H01L 2221/68381
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2221Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
67Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
683for supporting or gripping
68304using temporarily an auxiliary support
68381Details of chemical or physical process used for separating the auxiliary support from a device or wafer
出願人 FUJIFILM CORP
富士フイルム株式会社
発明者 TADAKUMA YOSHIO
多田隈　芳夫
代理人 特許業務法人特許事務所サイクス
発明の名称
(EN) FIXING METHOD FOR PLASTIC SUBSTRATE, CIRCUIT SUBSTRATE, AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
(JA) プラスチック基板の固定方法、回路基板およびその製造方法
要約
(EN)

PROBLEM TO BE SOLVED: To make it possible to easily manufacture a circuit substrate out of a plastic substrate, which lacks strength and stiffness, though, as a simple substance.

SOLUTION: An adhesive material is applied or pasted onto a support substrate to form an adhesion material layer, adhesive strength control treatment is selectively done on the adhesion material layer to form two regions in the adhesion material layer, a region with weakly adhesive force and a region with strongly adhesive force having stronger adhesive force than the region with weakly adhesive force, a plastic substrate is pressure-bonded to the adhesive material layer provided with multi-adhesion regions in an environment with vacuum of 300Torr or less, circuitry is formed on a surface opposite to that of the plastic substrate pressure-welded to the adhesion material layer, and within a region corresponding to right above the region with weakly adhesive force, and the region of the plastic substrate in which the circuitry has been formed is cut out regarding the region with weakly adhesive force of the adhesion material layer as a release layer, thus obtaining a circuit substrate having circuitry on a plastic substrate.

COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

(JA)

【課題】単体では強度や剛性が不足しているプラスチック基板であっても回路基板を簡便に製造することができるようにする。
【解決手段】支持基板上に粘着材を塗布または貼付して該支持基板上に粘着材層を形成し；前記粘着材層に対し粘着力制御処理を選択的に施し、前記粘着材層中に弱粘着力領域と該弱粘着力領域よりも粘着力が強い強粘着力領域の少なくとも２つの領域を形成し；複数の粘着力領域が設けられた前記粘着材層に対し、プラスチック基板を真空度３００Ｔｏｒｒ以下の環境下で圧着し；前記粘着材層に圧接した前記プラスチック基板の面とは反対側の面上であって、前記弱粘着力領域の直上に相当する領域内に回路を形成し；前記回路を形成したプラスチック基板の領域を、前記粘着材層の弱粘着力領域を剥離層として切り出し、プラスチック基板上に回路を有する回路基板を得る。
【選択図】なし
他の公開
US20080099134
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