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1. JP2006196879 - 半導体装置の作製方法

官庁
日本
出願番号 2005355668
出願日 09.12.2005
公開番号 2006196879
公開日 27.07.2006
特許番号 4700484
特許付与日 11.03.2011
公報種別 B2
IPC
H01L 21/3205
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
3205絶縁層へ非絶縁層,例.導電層または抵抗層,の付着;これらの層の後処理
H01L 21/288
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
28H01L21/20~H01L21/268に分類されない方法または装置を用いる半導体本体上への電極の製造
283電極用の導電または絶縁材料の析出
288液体からの析出,例.電解液からの析出
H01L 21/336
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
334ユニポーラ型の装置の製造のための多段階工程
335電界効果トランジスタ
336絶縁ゲートを有するもの
H01L 29/786
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部
66半導体装置の型
68整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76ユニポーラ装置
772電界効果トランジスタ
78絶縁ゲートによって生じる電界効果を有するもの
786薄膜トランジスタ
H01L 51/05
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
51能動部分として有機材料を用い,または能動部分として有機材料と他の材料との組み合わせを用いる固体装置;このような装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
05整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用されるものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するコンデンサーまたは抵抗器
H01L 51/50
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
51能動部分として有機材料を用い,または能動部分として有機材料と他の材料との組み合わせを用いる固体装置;このような装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
50光放出に特に適用されるもの,例.有機発光ダイオード(OLED)または高分子発光ダイオード(PLED)
出願人 SEMICONDUCTOR ENERGY LAB CO LTD
株式会社半導体エネルギー研究所
発明者 MORISUE MASAFUMI
森末 将文
MAEKAWA SHINJI
前川 慎志
優先権情報 2004366430 17.12.2004 JP
発明の名称
(EN) METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
(JA) 半導体装置の作製方法
要約
(EN)

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide the method of manufacturing a semiconductor device which can form a structure such as wiring constituting the semiconductor device, a display unit, and the like in a desired profile with a sufficient adhesiveness, which shows a small loss of a material, and which can attain a cost reduction.

SOLUTION: A layer having a rough surface is formed. A region whose wettability to a composition comprising a conductive material is low and a region whose wettability to the composition is high are formed on the rough surface. A conductive layer is formed on the region whose wettability is high using the composition. Since it is possible to form a region whose wettability is largely different (a region having large difference in wettability), a liquid conductive material or an insulating material is correctly adhered only to the formed region.

COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

(JA)

【課題】材料の利用効率を向上させ、かつ、作製工程を簡略化して作製可能な半導体装置、表示装置及びその作製技術を提供することを目的とする。また、それらの半導体装置、表示装置を構成する配線等のパターンを、所望の形状で制御性よく形成できる技術を提供することも目的とする。
【解決手段】粗面を有する層を形成し、粗面上に導電性材料を含む組成物に対するぬれ性の低い領域と、組成物に対するぬれ性の高い領域を形成し、ぬれ性の高い領域に前記組成物を用いて導電層を形成する。ぬれ性が大きく異なる領域(ぬれ性に大きく差を有する領域)を形成できるので、液状の導電性材料又は絶縁性材料が、被形成領域のみに正確に付着する。よって、所望のパターンに正確に導電層、絶縁層を形成することができる
【選択図】図1

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