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1. JP2006108532 - ウエーハの研削方法

官庁 日本
出願番号 2004295786
出願日 08.10.2004
公開番号 2006108532
公開日 20.04.2006
公報種別 A
IPC
H01L 21/304
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
304機械的処理,例.研摩,ポリシング,切断
B23K 26/36
B処理操作;運輸
23工作機械;他に分類されない金属加工
Kハンダ付またはハンダ離脱;溶接;ハンダ付または溶接によるクラッドまたは被せ金;局部加熱による切断,例.火炎切断:レーザービームによる加工
26レーザービームによる加工,例.溶接,切断または穴あけ
36材料の除去
B24B 7/22
B処理操作;運輸
24研削;研磨
B研削または研磨するための機械,装置,または方法;研削面のドレッシングまたは正常化;研削剤,研磨剤,またはラッピング剤の供給
7平担なガラス面の研磨を含む工作物の平面を研削するために設計された機械または装置;そのための附属装置
20研削されるべき非金属物体の材質の特性に対する特別な設計により特徴づけられるもの
22無機材料,例.石,セラミック,磁器,を研削するもの
CPC
B23K 26/40
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
26Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
36Removing material
40taking account of the properties of the material involved
B23K 2101/40
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
2101Articles made by soldering, welding or cutting
36Electric or electronic devices
40Semiconductor devices
B23K 2103/50
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
2103Materials to be soldered, welded or cut
50Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02B23K2103/26
B24B 7/228
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
24GRINDING; POLISHING
BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING
7Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor
20characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground
22for grinding inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain
228for grinding thin, brittle parts, e.g. semiconductors, wafers
H01L 21/02021
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02002Preparing wafers
02005Preparing bulk and homogeneous wafers
02008Multistep processes
0201Specific process step
02021Edge treatment, chamfering
H01L 21/302
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
302to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
出願人 DISCO ABRASIVE SYST LTD
株式会社ディスコ
発明者 NAKAMURA MASARU
中村 勝
WATANABE YOSUKE
渡辺 陽介
KOBAYASHI MASASHI
小林 賢史
TAKEDA NOBORU
武田 昇
YOSHIDA MASANORI
吉田 正徳
SANPEI TAKASHI
三瓶 貴士
MURATA MASAHIRO
村田 正博
代理人 小野 尚純
奥貫 佐知子
発明の名称
(EN) METHOD OF GRINDING WAFER
(JA) ウエーハの研削方法
要約
(EN)

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of grinding a wafer which can grind in a predetermined thickness without damaging it during grinding and without knife edge arising on the peripheral edge.

SOLUTION: The method of grinding the surface to be ground of the wafer chamfered in a circular arc shape on the outer peripheral side includes an outer peripheral part removing step of removing the peripheral part of the wafer by irradiating along the peripheral edge in the position of a predetermined amount inside from the peripheral edge from one surface side of the wafer with a laser beam, and a grinding step of grinding the surface to be ground of the wafer in which the peripheral part is removed and forming it in a predetermined finishing thickness.

COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

(JA)

【課題】 研削中に破損することなく、かつ、外周縁にナイフエッジが生ずることなく所定の厚さに研削することができるウエーハの研削方法を提供する。
【解決手段】 外周面が円弧状に面取りされているウエーハの被研削面を研削する研削方法であって、ウエーハの一方の面側から外周縁より所定量内側の位置で外周縁に沿ってレーザー光線を照射し、ウエーハの外周部を除去する外周部除去工程と、外周部が除去されたウエーハの被研削面を研削して所定の仕上がり厚さに形成する研削工程とを含む。
【選択図】 図5