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1. JP2004300212 - エポキシ樹脂組成物及び半導体装置

官庁 日本
出願番号 2003092804
出願日 28.03.2003
公開番号 2004300212
公開日 28.10.2004
特許番号 4250996
特許付与日 30.01.2009
公報種別 B2
IPC
C08L 63/00
C化学;冶金
08有機高分子化合物;その製造または化学的加工;それに基づく組成物
L高分子化合物の組成物
63エポキシ樹脂の組成物;エポキシ樹脂の誘導体の組成物
C08G 59/62
C化学;冶金
08有機高分子化合物;その製造または化学的加工;それに基づく組成物
G炭素-炭素不飽和結合のみが関与する反応以外の反応によって得られる高分子化合物
591分子中に1個より多くのエポキシ基を含有する重縮合物;エポキシ重縮合物と単官能性低分子量化合物との反応によって得られる高分子化合物;エポキシ基と反応する硬化剤または触媒を用いて1分子中に1個より多くのエポキシ基を含有する化合物を重合することにより得られる高分子化合物
18エポキシ基と反応する硬化剤または触媒を用いて1分子中に1個より多くのエポキシ基を含む化合物を重合することにより得られる高分子化合物
40用いられた硬化剤に特徴のあるもの
62アルコールまたはフェノール
C08K 3/22
C化学;冶金
08有機高分子化合物;その製造または化学的加工;それに基づく組成物
K無機または非高分子有機物質の添加剤としての使用(ペイント,インキ,ワニス,染料,艶出剤,接着剤C09)
3無機物質の添加剤としての使用
18酸素含有化合物,例.金属カルボニル
20酸化物;水酸化物
22金属の
C08K 3/36
C化学;冶金
08有機高分子化合物;その製造または化学的加工;それに基づく組成物
K無機または非高分子有機物質の添加剤としての使用(ペイント,インキ,ワニス,染料,艶出剤,接着剤C09)
3無機物質の添加剤としての使用
34けい素含有化合物
36シリカ
C08K 7/18
C化学;冶金
08有機高分子化合物;その製造または化学的加工;それに基づく組成物
K無機または非高分子有機物質の添加剤としての使用(ペイント,インキ,ワニス,染料,艶出剤,接着剤C09)
7形状に特徴を有する配合成分の使用
16固体球状物
18無機物
C08L 83/04
C化学;冶金
08有機高分子化合物;その製造または化学的加工;それに基づく組成物
L高分子化合物の組成物
83主鎖のみにいおう,窒素,酸素または炭素を含みまたは含まずにけい素を含む結合を形成する反応によって得られる高分子化合物の組成物;そのような重合体の誘導体の組成物
04ポリシロキサン
CPC
H01L 23/293
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
28Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, ; e.g. for protection
29characterised by the material ; , e.g. carbon
293Organic, e.g. plastic
H01L 23/295
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
28Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, ; e.g. for protection
29characterised by the material ; , e.g. carbon
293Organic, e.g. plastic
295containing a filler
H01L 2924/0002
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2924Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
0001Technical content checked by a classifier
0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Y10T 428/31511
YSECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
428Stock material or miscellaneous articles
31504Composite [nonstructural laminate]
31511Of epoxy ether
H04M 19/048
HELECTRICITY
04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
MTELEPHONIC COMMUNICATION
19Current supply arrangements for telephone systems
02providing ringing current or supervisory tones, e.g. dialling tone, busy tone
04ringing-current generated at substation
048Arrangements providing optical indication of the incoming call, e.g. flasher circuits
出願人 SUMITOMO BAKELITE CO LTD
住友ベークライト株式会社
発明者 OSUGA HIRONORI
大須賀 浩規
発明の名称
(EN) EPOXY RESIN COMPOSITION AND SEMICONDUCTOR DEVICE
(JA) エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
要約
(EN)

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an epoxy resin composition which has excellent burr characteristics and excellent heat conductivity, gives little curved area mount type semiconductor device, and has an excellent temperature cycling property.

SOLUTION: This epoxy resin composition for sealing semiconductors is characterized by containing (A) spherical alumina, (B) superfine silica having a specific surface area of 120 to 280 m2/g, (C) a silicone compound, (D) an epoxy resin, (E) a phenolic resin curing agent, and (F) a curing accelerator as essential components, wherein the amount of the superfine silica is 0.2 to 0.8 wt. % based on the total amount of the epoxy resin composition. The silicone compound is preferably a polyorganosiloxane and is contained in an amount of 0.3 to 2.0 wt. % based on the whole resin composition.

COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

(JA)

【課題】バリ特性、熱伝導性に優れ、エリア実装型半導体装置での反りが小さく温度サイクル性に優れたエポキシ樹脂組成物を提供すること。
【解決手段】(A)球状アルミナ、(B)比表面積120〜280m/gである超微粉シリカ、(C)シリコ−ン化合物、(D)エポキシ樹脂、(E)フェノ−ル樹脂硬化剤及び(F)硬化促進剤を必須成分とし、前記超微粉シリカの配合量が、全樹脂組成物中の0.2〜0.8重量%であり、前記シリコ−ン化合物がポリオルガノシロキサンであり、全樹脂組成物中の0.3〜2.0重量%であることを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。

関連公開情報: