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1. JP2004111606 - ウェーハ周縁エッジの加工方法

官庁 日本
出願番号 2002271320
出願日 18.09.2002
公開番号 2004111606
公開日 08.04.2004
公報種別 A
IPC
H01L 21/301
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
301半導体本体を別個の部品に細分割するため,例.分離する
B23K 26/00
B処理操作;運輸
23工作機械;他に分類されない金属加工
Kハンダ付またはハンダ離脱;溶接;ハンダ付または溶接によるクラッドまたは被せ金;局部加熱による切断,例.火炎切断:レーザービームによる加工
26レーザービームによる加工,例.溶接,切断または穴あけ
H01L 21/304
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
304機械的処理,例.研摩,ポリシング,切断
B24B 9/00
B処理操作;運輸
24研削;研磨
B研削または研磨するための機械,装置,または方法;研削面のドレッシングまたは正常化;研削剤,研磨剤,またはラッピング剤の供給
9工作物の端部または斜面を研削またはバリ除去のために設計された機械または装置;そのための附属装置
B23K 101/40
B処理操作;運輸
23工作機械;他に分類されない金属加工
Kハンダ付またはハンダ離脱;溶接;ハンダ付または溶接によるクラッドまたは被せ金;局部加熱による切断,例.火炎切断:レーザービームによる加工
101,,
36,
40,
出願人 TOKYO SEIMITSU CO LTD
株式会社東京精密
発明者 KUBO YUICHI
久保 祐一
OSADA MASATERU
長田 正照
AZUMA MASAYUKI
東 正幸
代理人 松浦 憲三
発明の名称
(EN) METHOD OF PROCESSING WAFER
(JA) ウェーハ周縁エッジの加工方法
要約
(EN)

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide processing methods for dividing a wafer into separate chips whose four corners are hardly chipped, for making the wafer very thin by grinding its rear side without forming a knife edge on its peripheral edge, and for chamfering the peripheral edge of the wafer in a shorter processing time at a lower running cost.

SOLUTION: A laser processing apparatus 10 is used for dividing the wafer W into the separate chips C which each have four chamfered corners. When the wafer W is processed to have a prescribed thickness by grinding, all the peripheral edge of the wafer is removed by division through a laser beam L before a grinding process is started. When the peripheral edge of the wafer W is chamfered, the peripheral edge of the wafer is roughly processed by division through the laser beam L and then subjected to finish processing using a fine grinding wheel.

COPYRIGHT: (C)2004,JPO

(JA)

【課題】ウェーハを四隅が欠け難い個々のチップに分割する加工方法、ウェーハを裏面研削で極薄に加工してもウェーハの周縁にナイフエッジが形成されない加工方法、及び、ウェーハ周縁エッジ部の面取り加工において加工時間の短縮とランニングコストの低減とを図れる加工方法を提供すること。
【解決手段】ウェーハWを個々のチップCに分割するに当たり、レーザー加工装置10を用い、四隅が面取形状を有する個々のチップCに分割する。また、ウェーハWを所定の厚さに研削加工するに当たり、ウェーハWの研削に先立ってレーザー光Lを用いてウェーハ周縁部を全周にわたって割断除去する。また、ウェーハ周縁エッジ部の面取り加工において、レーザー光Lを用いた割断でウェーハ周縁エッジ部を粗加工し、しかる後に精研用砥石で仕上げ加工を行うように構成した。
【選択図】     図1