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1. JP1999348031 - 半導体基板の製造方法

官庁
日本
出願番号 1998160899
出願日 09.06.1998
公開番号 1999348031
公開日 21.12.1999
特許番号 4224871
特許付与日 05.12.2008
公報種別 B2
IPC
B28D 5/04
B処理操作;運輸
28セメント,粘土,または石材の加工
D石材または石材類似材料の加工
5宝石類,結晶体の精密加工,例.半導体の材料;そのための装置
04回転式以外の工具によるもの,例.往復動工具
C30B 31/00
C化学;冶金
30結晶成長
B単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
31単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質への拡散またはドーブ工程;そのための装置
出願人 SUMITOMO METAL IND LTD
株式会社SUMCO
発明者 TOMITA SHINICHI
冨田 真一
代理人 安倍 逸郎
生形 元重
発明の名称
(EN) MANUFACTURE OF SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, EXTERNAL SURFACE PROCESSING DEVICE, AND SINGLE CRYSTAL INGOT
(JA) 半導体基板の製造方法
要約
(EN)

PROBLEM TO BE SOLVED: To economically manufacture a high-quality semiconductor substrate by performing a processing to form a plurality of annular projections on the outer peripheral surface in the ingot state so as to achieve an extremely simple chamfering on a plurality of wafers.

SOLUTION: A plurality of blocks 11, 11... are cut out of a single crystal ingot 10 which is grown by a CZ method or an FZ method. Each block 11 is processed to a special shaped block 14 where a plurality of projections 12, 12... are formed on the outer peripheral surface. Each annular projection 12 corresponds to the peripheral edge of the single crystal wafer which is chamfered. The block 14 is etched to remove the processing strained layer 16 on the outer peripheral surface. After a protective film 17 is formed on the outer peripheral surface, the block 14 is cut out between the adjacent annular projections 12, 12, and a plurality of single crystal wafers are then obtained. The chamfering and the etching process of the wafer outer peripheral surface are performed in the ingot state, thereby simplifying the processes.

COPYRIGHT: (C)1999,JPO

(JA)


【課題】 高品質の半導体基板を経済的に製造する。


【解決手段】 CZ法又はFZ法により育成された単結
晶インゴット10から複数のブロック11,11・・を
切り出す。
各ブロック11を、外周面に複数の環状凸部
12,12・・が形成された特殊形状のブロック14に
加工する。
各環状凸部12は、面取り加工を受けた単結
晶ウエーハの周縁部に対応する。
ブロック14をエッチ
ングして、外周面の加工歪層16を除去する。
その外周
面に保護膜17を形成したあと、隣接する環状凸部1
2,12間でブロック14を切断して、複数枚の単結晶
ウエーハ18,18・・を採取する。
ウエーハ外周面の
面取り加工及びエッチング処理をインゴットの状態で行
うことにより、工程が簡略化される。