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1. (EP1935027) SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

官庁 : 欧州特許庁(EPO)
出願番号: 06798504 出願日: 03.10.2006
公開番号: 1935027 公開日: 25.06.2008
公報種別: B1
指定国: DE, FI, FR, GB, NL
PCT 関連事項: 出願番号:JP2006320154 ; 公開番号: クリックしてデータを表示
IPC:
H01L 29/786
H01L 51/00
H01L 51/10
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
66
半導体装置の型
68
整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76
ユニポーラ装置
772
電界効果トランジスタ
78
絶縁ゲートによって生じる電界効果を有するもの
786
薄膜トランジスタ
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
51
能動部分として有機材料を用い,または能動部分として有機材料と他の材料との組み合わせを用いる固体装置;このような装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
51
能動部分として有機材料を用い,または能動部分として有機材料と他の材料との組み合わせを用いる固体装置;このような装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
05
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用されるものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するコンデンサーまたは抵抗器
10
装置の細部
CPC:
H01L 29/7869
H01L 29/41733
H01L 51/0097
H01L 51/105
H01L 2251/5338
Y02E 10/549
Y02P 70/521
出願人: SEMICONDUCTOR ENERGY LAB
発明者: HONDA TATSUYA
優先権情報: 2005300825 14.10.2005 JP
2006320154 03.10.2006 JP
発明の名称: (DE) HALBLEITERBAUELEMENT UND HERSTELLUNGSVERFAHREN DAFÜR
(EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
(FR) DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEURS ET SON PROCEDE DE FABRICATION
要約: front page image
(EN) An object is to obtain a semiconductor device with improved characteristics by reducing contact resistance of a semiconductor film with electrodes or wirings, and improving coverage of the semiconductor film and the electrodes or wirings. The present invention relates to a semiconductor device including a gate electrode over a substrate, a gate insulating film over the gate electrode, a first source or drain electrode over the gate insulating film, an island-shaped semiconductor film over the first source or drain electrode, and a second source or drain electrode over the island-shaped semiconductor film and the first source or drain electrode. Further, the second source or drain electrode is in contact with the first source or drain electrode, and the island-shaped semiconductor film is sandwiched between the first source or drain electrode and the second source or drain electrode. Moreover, the present invention relates to a manufacturing method of the semiconductor device.
(FR) La présente invention concerne un objet pour obtenir un dispositif à semi-conducteurs avec des caractéristiques améliorées en réduisant la résistance de contact d'un film à semi-conducteurs avec des électrodes ou des câblages et en améliorant la couverture du film à semi-conducteurs et les électrodes ou les câblages. La présente invention concerne un dispositif à semi-conducteurs comprenant une électrode de grille sur un substrat, un film d'isolation de grille sur l'électrode de grille, une première électrode source ou drain sur le film d'isolation de grille, un film à semi-conducteurs en forme d'îlot sur la première électrode source ou drain, et une seconde électrode source ou drain sur le film à semi-conducteurs en forme d'îlot et la première électrode source ou drain. De plus, la seconde électrode source ou drain est en contact avec la première et le film à semi-conducteurs en forme d'îlot est enserré entre la première et la seconde électrode source ou drain. De plus, la présente invention a trait à un procédé de fabrication du dispositif à semi-conducteurs.
また、:
JP2007134687US20070087487JP2013016861CN101278403JP2014103418JP2015144312
WO/2007/043493