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1. (EP0561386) Semiconductor device.

官庁 : 欧州特許庁(EPO)
出願番号: 93104360 出願日: 17.03.1993
公開番号: 0561386 公開日: 22.09.1993
公報種別: A1
指定国: DE,FR,GB
IPC:
H 03K
H03K 17/0812
H03K 17/082
H03K 17/16
H 電気
03
基本電子回路
K
パルス技術
17
電子的スイッチングまたはゲート,すなわち,メークおよびブレーク接点によらないもの
08
過電流または過電圧に対するスイッチ回路の保護のための変形
H 電気
03
基本電子回路
K
パルス技術
17
電子的スイッチングまたはゲート,すなわち,メークおよびブレーク接点によらないもの
08
過電流または過電圧に対するスイッチ回路の保護のための変形
081
出力回路から制御回路への帰還のないもの
0812
制御回路において採られた手段によるもの
H 電気
03
基本電子回路
K
パルス技術
17
電子的スイッチングまたはゲート,すなわち,メークおよびブレーク接点によらないもの
08
過電流または過電圧に対するスイッチ回路の保護のための変形
082
出力回路から制御回路への帰還によるもの
H 電気
03
基本電子回路
K
パルス技術
17
電子的スイッチングまたはゲート,すなわち,メークおよびブレーク接点によらないもの
16
混信電圧または混信電流を消去するための変形
CPC:
H03K 17/0828
H03K 17/08128
H03K 17/0822
H03K 17/168
H03K 17/18
出願人: FUJI ELECTRIC CO LTD
発明者: OGAWA SHOGO
MIYASAKA TADASHI
KOBAYASHI SHINICHI
KUWABARA KESANOBU
優先権情報: 12521492 19.05.1992 JP
6225492 18.03.1992 JP
6596092 24.03.1992 JP
発明の名称: (DE) Halbleiteranordnung.
(EN) Semiconductor device.
(FR) Dispositif semi-conducteur.
要約: front page image
(EN) A semiconductor device includes an insulated gate semiconductor portion (2) having a gate electrode (2g); an overcurrent limiting portion (12,13) for judging an overcurrent state of the insulated gate semiconductor portion (2) to make it possible to change a gate voltage applied to the gate electrode (2g); and a driving portion (30) for driving the insulated gate semiconductor portion (2). The driving portion (30) includes a driving section (20) for supplying a control voltage to the insulated gate semiconductor device (2) correspondingly to an input signal (I) supplied to the driving portion; and a comparing section (40) for comparing the gate voltage (VG) with a predetermined reference voltage (Vo). The semiconductor device may further include a gate control relaxation section (141) for relaxing a rate of change of the gate voltage (VG) applied to the gate electrode.