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1. CN108496244 - Semiconductor device and method for manufacturing same

官庁 中華人民共和国
出願番号 201780008343.4
出願日 16.01.2017
公開番号 108496244
公開日 04.09.2018
公報種別 A
IPC
H01L 21/336
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
334ユニポーラ型の装置の製造のための多段階工程
335電界効果トランジスタ
336絶縁ゲートを有するもの
G09F 9/00
G物理学
09教育;暗号方法;表示;広告;シール
F表示;広告;サイン;ラベルまたはネームプレート;シール
9情報が個々の要素の選択または組合せによって支持体上に形成される可変情報用の指示装置
G09F 9/30
G物理学
09教育;暗号方法;表示;広告;シール
F表示;広告;サイン;ラベルまたはネームプレート;シール
9情報が個々の要素の選択または組合せによって支持体上に形成される可変情報用の指示装置
30必要な文字が個々の要素を組み合わせることによって形成されるもの
H01L 21/3205
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
3205絶縁層へ非絶縁層,例.導電層または抵抗層,の付着;これらの層の後処理
H01L 21/768
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
701つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品または集積回路からなる装置またはその特定部品の製造または処理;集積回路装置またはその特定部品の製造
71グループH01L21/70で限定された装置の特定部品の製造
768装置内の別個の構成部品間に電流を流すため使用する相互接続を適用するもの
H01L 23/522
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23半導体または他の固体装置の細部
52動作中の装置内の1つの構成部品から他の構成部品へ電流を導く装置
522半導体本体上に分離できないように形成された導電層及び絶縁層の多層構造からなる外部の相互接続を含むもの
CPC
G06F 3/0412
GPHYSICS
06COMPUTING; CALCULATING; COUNTING
FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
3Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
01Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
03Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
041Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
0412Digitisers structurally integrated in a display
G06F 3/044
GPHYSICS
06COMPUTING; CALCULATING; COUNTING
FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
3Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
01Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
03Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
041Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
044by capacitive means
G06F 2203/04103
GPHYSICS
06COMPUTING; CALCULATING; COUNTING
FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
2203Indexing scheme relating to G06F3/00 - G06F3/048
041Indexing scheme relating to G06F3/041 - G06F3/045
04103Manufacturing, i.e. details related to manufacturing processes specially suited for touch sensitive devices
H01L 21/76805
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
71Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
768Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device ; comprising conductors and dielectrics
76801characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing
76802by forming openings in dielectrics
76805the opening being a via or contact hole penetrating the underlying conductor
H01L 21/76877
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
71Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
768Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device ; comprising conductors and dielectrics
76838characterised by the formation and the after-treatment of the conductors
76877Filling of holes, grooves or trenches, e.g. vias, with conductive material
H01L 27/1225
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
12the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
1214comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
1222with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer
1225with semiconductor materials not belonging to the group IV of the periodic table, e.g. InGaZnO
出願人 SHARP CORPORATION
夏普株式会社
発明者 SAITOH TAKAO
齐藤贵翁
KANZAKI YOHSUKE
神崎庸辅
NAKAZAWA MAKOTO
中泽淳
ITO KAZUATSU
伊东一笃
KANEKO SEIJI
金子诚二
代理人 北京市隆安律师事务所 11323
北京市隆安律师事务所 11323
優先権情報 2016-012982 27.01.2016 JP
発明の名称
(EN) Semiconductor device and method for manufacturing same
(ZH) 半导体装置及其制造方法
要約
(EN)
This semiconductor device is provided with a first thin film transistor (101) having a crystalline silicon semiconductor layer (13) and a second thin film transistor (102) having an oxide semiconductor layer (23). First source/drain electrodes (31, 33) of the first thin film transistor (101) are provided on the crystalline silicon semiconductor layer with a first interlayer insulating layer (L1) being interposed therebetween. A second source electrode (25S) of the second thin film transistor (102) is electrically connected to a wiring line (35) that is formed of the same conductive film as thefirst source/drain electrodes. The wiring line (35) is provided on the second source electrode (25S) with a second interlayer insulating layer (L2) being interposed therebetween, and is in contact with the second source electrode (25S) within a second contact hole that comprises an opening formed in the second interlayer insulating layer (L2). The second source electrode has a multilayer structure including a main layer (25m) and an upper layer (25u) arranged on the main layer; the upper layer (25u) has a first opening below the opening of the second interlayer insulating layer, while the main layer (25m) has a second opening (p2) or a recessed part below the opening of the second interlayer insulating layer; and the second opening (p2) or the recessed part is larger than the first opening (p1) when viewed from the normal direction of a substrate.

(ZH)
半导体装置具备具有结晶质硅半导体层(13)的第1薄膜晶体管(101)和具有氧化物半导体层(23)的第2薄膜晶体管(102),第1薄膜晶体管(101)的第1源极电极(31)、第1漏极(33)隔着第1层间绝缘层(L1)设置在结晶质硅半导体层之上,第2薄膜晶体管(102)的第2源极电极(25S)电连接到与第1源极电极、第1漏极电极由同一导电膜形成的配线(35),配线(35)隔着第2层间绝缘层(L2)设置在第2源极电极(25S)之上,并且在包含形成于第2层间绝缘层(L2)的开口的第2接触孔内与第2源极电极(25S)接触,第2源极电极具有包含主层(25m)和配置在主层之上的上层(25u)的层叠结构,在第2层间绝缘层的开口的下方,上层(25u)具有第1开口部,主层(25m)具有第2开口部(p2)或凹部,当从基板的法线方向观看时,第2开口部(p2)或凹部比第1开口部(p1)大。