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1. (CN108352421) SOLAR CELL HAVING A PLURALITY OF ABSORBERS CONNECTED TO ONE ANOTHER BY MEANS OF CHARGE-CARRIER-SELECTIVE CONTACTS

官庁 : 中華人民共和国
出願番号: 201680067803.6 出願日: 17.11.2016
公開番号: 108352421 公開日: 31.07.2018
公報種別: A
PCT 関連事項: 出願番号:PCTEP2016078005 ; 公開番号: クリックしてデータを表示
IPC:
H01L 31/078
H01L 31/0747
H01L 31/0725
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
31
赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応する半導体装置で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御かのどちらかに特に適用されるもの;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの細部
04
変換装置として使用されるもの
06
少なくとも1つの電位障壁または表面障壁に特徴のあるもの
078
グループH01L31/061からH01L31/075の2つ以上に分類される異なる種類の電位障壁を含むもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
31
赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応する半導体装置で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御かのどちらかに特に適用されるもの;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの細部
04
変換装置として使用されるもの
06
少なくとも1つの電位障壁または表面障壁に特徴のあるもの
072
電位障壁がPNヘテロ接合型のみからなるもの
0745
AIVBIVヘテロ接合からなる,例.Si/Ge,SiGe/SiまたはSi/SiC太陽電池
0747
結晶材料とアモルファス材料のヘテロ接合からなる,例.薄い真性層を備えたヘテロ接合またはHIT(R)の太陽電池とのヘテロ結合
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
31
赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応する半導体装置で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御かのどちらかに特に適用されるもの;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの細部
04
変換装置として使用されるもの
06
少なくとも1つの電位障壁または表面障壁に特徴のあるもの
072
電位障壁がPNヘテロ接合型のみからなるもの
0725
多接合またはタンデムの太陽電池
出願人: INSTITUT FUR SOLARENERGIEFORSCHUNG GMBH
太阳能研究所股份有限公司
発明者: PEIBST ROBBY
罗比·派博斯特
代理人: 北京市隆安律师事务所 11323
優先権情報: 102015015017.0 19.11.2015 DE
発明の名称: (EN) SOLAR CELL HAVING A PLURALITY OF ABSORBERS CONNECTED TO ONE ANOTHER BY MEANS OF CHARGE-CARRIER-SELECTIVE CONTACTS
(ZH) 具有通过载流子选择性触点互连的多个吸收体的太阳能电池
要約: front page image
(EN) A tandem solar cell structure is described, having the following features: (a) a monolithic structure having at least two different absorbers (104, 108) made from different materials for photovoltaicenergy conversion, (b) an absorber (108) consisting of crystalline silicon, (c) a charge-carrier-selective contact on that side of the silicon absorber (108) which is directed to the adjoining absorber (104), (d) a structure of the charge-carrier-selective contact made from a thin interface oxide 107 and an amorphous, semi-crystalline or polycrystalline layer which consists mainly of silicon, is either p-doped (106) or n-doped (201), and is applied to said contact. The charge-carrier-selective contact constructed from the layers 107 and 106 or 201 ensures excellent surface passivation of the crystalline silicon absorber 108 and the selective extraction of a charge carrier type from the latter over the entire surface. A vertical current flow is therefore achieved, with the result that lateral transverse conductivity is not required in each sub-cell. High doping of the layer 106 or 201 may form a tunnel contact with respect to the adjoining layer. The thickness and/or doping of the layer106 or 201 can be used to adjust the generation currents in the individual sub-cells. The temperature stability of the layers 107, 106 or 201 makes it possible to use subsequent production steps at temperatures of > 400 DEG C.
(ZH) 描述了一种串联式太阳能电池结构,其具有以下特征:(a)具有由不同材料制成的至少两个不同吸收体(104,108)的用于光伏能量转换的单体结构,(b)吸收体(108)由晶体硅构成,(c)在硅吸收体(108)的面对相邻的吸收体(104)的一侧上的布置有载流子选择性触点,(d)载流子选择性触点由薄的界面氧化物107和施加到其上的主要由p掺杂(106)或者n掺杂(201)的硅构成的非晶、部分结晶或多晶层配置而成。由层107和106或201构成的载流子选择性触点保证了晶体硅吸收体108的优异表面钝化和在整个表面上从后者选择性地提取载流子类型。因此实现垂直电流流动,使得在每个子电池中不需要横向电导率。通过层106或201的高度掺杂可以形成与相邻层的隧道接触。层106或201的厚度和/或掺杂可被用来匹配各个子电池中的发电电流。层107、106或201的温度稳定性允许在>400℃的温度应用随后的生产步骤。
また、:
KR1020180084825EP3378104US20180374976WO/2017/085186