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1. (CN106298778) Semiconductor device and manufacturing method thereof and electronic equipment comprising semiconductor device

官庁 : 中華人民共和国
出願番号: 102016000872541 出願日: 30.09.2016
公開番号: 106298778 公開日: 04.01.2017
公報種別: A
IPC:
H01L 27/088
H01L 21/8234
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
27
1つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
02
整流,発振,増幅またはスイッチングに特に適用される半導体構成部品を含むものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する集積化された受動回路素子を含むもの
04
基板が半導体本体であるもの
08
1種類の半導体構成部品だけを含むもの
085
電界効果構成部品のみを含むもの
088
構成部品が絶縁ゲートを有する電界効果トランジスタであるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
70
1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品または集積回路からなる装置またはその特定部品の製造または処理;集積回路装置またはその特定部品の製造
77
1つの共通基板内または上に形成される複数の固体構成部品または集積回路からなる装置の製造または処理
78
複数の別個の装置に基板を分割することによるもの
82
それぞれが複数の構成部品からなる装置,例.集積回路の製造
822
基板がシリコン技術を用いる半導体であるもの
8232
電界効果技術
8234
MIS技術
出願人: INSTITUTE OF MICROELECTRONICS, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES
発明者: ZHU HUILONG
優先権情報:
発明の名称: (EN) Semiconductor device and manufacturing method thereof and electronic equipment comprising semiconductor device
(ZH) 半导体器件及其制造方法及包括该器件的电子设备
要約: front page image
(EN) The invention discloses a semiconductor device and a manufacturing method thereof and electronic equipment comprising the semiconductor device. The semiconductor device disclosed by the embodiment comprises a substrate, a first source/drain layer, a channel layer and a second source/drain layer, wherein the first source/drain layer, the channel layer and the second source/drain layer are sequentially superposed on the substrate and are adjacent to one another; and the channel layer comprises a semiconductor material which is different from the first source/drain layer and the second source/drain layer, and a gate stack formed around the periphery of the channel layer.
(ZH) 公开了一种半导体器件及其制造方法及包括该器件的电子设备。根据实施例,半导体器件可以包括:衬底;依次叠置在衬底上且彼此邻接的第一源/漏层、沟道层和第二源/漏层,其中,沟道层包括与第一、第二源/漏层不同的半导体材料;以及绕沟道层的外周形成的栅堆叠。