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1. (CN104103515) Manufacturing method for PMOS transistor and manufacturing method for NMOS transistor

官庁 : 中華人民共和国
出願番号: 201310113296.3 出願日: 02.04.2013
公開番号: 104103515 公開日: 15.10.2014
特許番号: 104103515 特許付与日: 08.02.2017
公報種別: B
IPC:
H01L 21/336
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
334
ユニポーラ型の装置の製造のための多段階工程
335
電界効果トランジスタ
336
絶縁ゲートを有するもの
出願人: SEMICONDUCTOR MANUFACTURING INTERNATIONAL (SHANGHAI) CO., LTD.
発明者: LI FENGLIAN
NI JINGHUA
代理人: luo suhua
優先権情報:
発明の名称: (EN) Manufacturing method for PMOS transistor and manufacturing method for NMOS transistor
(ZH) PMOS晶体管的制作方法与NMOS晶体管的制作方法
要約: front page image
(EN) The invention provides a manufacturing method for a PMOS transistor and a manufacturing method for an NMOS transistor. According to the aforementioned manufacturing methods, multiple laminated sigma-shaped grooves (at least two), i.e. stepped sigma-shaped grooves, are formed in source electrode and drain electrode regions in a direction of being perpendicular to the surface of a silicon substrate. In the direction from the surface of the silicon substrate into the silicon substrate, the groove tip, which stretches into a channel, of each sigma-shaped groove presents to be away from the channel gradually. Then a) as for the PMOS transistor, silicon germanium material is filled in the stepped sigma-shaped grooves so that pressure stress is applied to the channel, b) and as for the NMOS transistor, silicon carbide material is filled in the stepped sigma-shaped grooves so that pulling stress is applied to the channel. Therefore, capacity of the stepped sigma-shaped grooves is larger, and more silicon germanium material or silicon carbide material can be accommodated. Correspondingly, pressure stress or pulling stress to the channel is increased so that migration rate of hole carriers or electron carriers is improved.
(ZH) 本发明提供一种PMOS晶体管的制作方法与一种NMOS晶体管的制作方法。上述制作方法采用在源极及漏极区域形成垂直硅衬底表面方向的多个堆叠的sigma形凹槽(至少两个),即阶梯状sigma形凹槽,且在自硅衬底表面向硅衬底内方向上,每个sigma形凹槽的深入沟道的凹槽尖端呈逐渐远离沟道的趋势;之后,a)针对PMOS晶体管,在阶梯状sigma形凹槽内填入硅锗材料以对沟道施加压应力,b)针对NMOS晶体管,填入碳化硅材料以对沟道施加拉应力。如此,阶梯状sigma形凹槽的容量较大,可以容纳更多的硅锗材料或碳化硅材料,相应地,增加对沟道的压应力或拉应力,从而改善空穴载流子或电子载流子的迁移速率。