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1. (CN104094408) High current high voltage GaN field effect transistors and method of fabricating same

官庁 : 中華人民共和国
出願番号: 201280059254.X 出願日: 15.05.2012
公開番号: 104094408 公開日: 08.10.2014
公報種別: A
PCT 関連事項: 出願番号:PCTUS2012038013 ; 公開番号: クリックしてデータを表示
IPC:
H01L 29/778
H01L 21/335
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
66
半導体装置の型
68
整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76
ユニポーラ装置
772
電界効果トランジスタ
778
二次元電荷担体ガスチャンネルをもつもの,例.HEMT
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
334
ユニポーラ型の装置の製造のための多段階工程
335
電界効果トランジスタ
出願人:
発明者:
優先権情報: 13/312,406 06.12.2011 US
発明の名称: (EN) High current high voltage GaN field effect transistors and method of fabricating same
(ZH) 高电流高电压GaN场效应晶体管及其制造方法
要約: front page image
(EN) A field effect transistor (FET) having a source contact to a channel layer, a drain contact to the channel layer, and a gate contact on a barrier layer over the channel layer. The (FET) includes a dielectric layer on the barrier layer between the source contact and the drain contact and over the gate contact, and a field plate on the dielectric layer. The field plate is connected to the source contact and extends over a space between the gate contact and the drain contact. The field plate comprises a sloped sidewall in the space between the gate contact and the drain contact.
(ZH)

一种场效应晶体管(FET)具有与沟道层接触的源极接点、与沟道层接触的漏极接点、以及在沟道层之上的势垒层上的栅极接点,该FET包括:在源极接点和漏极接点之间的势垒层上并且覆盖栅极接点的电介质层;以及在电介质层上的场板,该场板连接至源极接点并且延伸超过栅极接点和漏极接点之间区域,并且该场板包含位于栅极接点和漏极接点之间区域的倾斜侧壁。


また、:
EP2789013WO/2013/085566