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1. CN103996618 - Manufacturing method for TFT electrode lead

官庁 中華人民共和国
出願番号 201410193671.4
出願日 09.05.2014
公開番号 103996618
公開日 20.08.2014
特許番号 103996618
特許付与日 18.01.2017
公報種別 B
IPC
H01L 21/28
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
28H01L21/20~H01L21/268に分類されない方法または装置を用いる半導体本体上への電極の製造
H01L 21/283
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
28H01L21/20~H01L21/268に分類されない方法または装置を用いる半導体本体上への電極の製造
283電極用の導電または絶縁材料の析出
CPC
H01L 24/83
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
24Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
83using a layer connector
出願人 上海大学
発明者 李喜峰
陈龙龙
张建华
代理人 上海上大专利事务所(普通合伙) 31205
発明の名称
(EN) Manufacturing method for TFT electrode lead
(ZH) TFT电极引线制造方法
要約
(EN)
The invention discloses a manufacturing method for a TFT electrode lead. According to the improved manufacturing method, an amorphous ITO protective layer is prepared on a traditional TFT electrode layer material. The technology is simple, the etching selectivity ratio of a TFT metal electrode layer can be infinite via a dry etching technology, metal electrodes are protected against influence of the dry etching technology, and the reliability of the metal electrode layer is greatly increased; and dry etching speed needs not to be calibrated frequently in the dry etching process, and the cost of real-time monitoring can be greatly reduced.

(ZH)
本发明公开了一种TFT电极引线制造方法,提出一种优化的电极引线制造方法,通过在传统TFT电极层材料之上,制作非晶化的ITO保护层,制作工艺简单,但可将干法刻蚀工艺对TFT金属电极层的刻蚀选择比达到无穷大,保护了金属电极免受干刻工艺制程影响,可大幅提高金属电极层的可靠性;同时干刻工艺制程无需频繁对干刻速率进行标定,可大量节省工艺实时监控成本。