(EN) In this pattern forming method for forming a pattern film on a substrate, the pattern film contains a triptycene derivative having a triptycene skeleton. The triptycene skeleton has a first plane on which the 1-position, 8-position, and 13-position of the triptycene skeleton are located, and a second plane on which the 4-position, 5-position, and 16-position of the triptycene skeleton are located. The triptycene derivative has a first side chain on one plane-side among the first plane and the second plane, and a second side chain on the other plane-side among the first plane and the second plane or on said one plane-side, the second side chain having a different etch selectivity than the first side chain.
(FR) L'invention concerne un procédé de formation de motif pour former un film de motif sur un substrat, le film de motif contient un dérivé de triptycène ayant un squelette triptycène. Le squelette triptycène a un premier plan sur lequel la position 1, la position 8, et la position 13 du squelette triptycène sont situées, et un second plan sur lequel la position 4, la position 5 et la position 16 du squelette triptycène sont situées. Le dérivé de triptycène a une première chaîne latérale sur un côté plan parmi le premier plan et le second plan, et une seconde chaîne latérale sur l'autre côté plan parmi le premier plan et le second plan ou sur ledit côté plan, la seconde chaîne latérale ayant une sélectivité de gravure différente de celle de la première chaîne latérale.
(JA) 基板にパターン膜を形成するパターン形成方法であって、前記パターン膜が、トリプチセン骨格を有するトリプチセン誘導体を含有し、前記トリプチセン骨格は、該トリプチセン骨格の１位、８位及び１３位が並ぶ第１面と、前記トリプチセン骨格の４位、５位及び１６位が並ぶ第２面と、を有し、前記トリプチセン誘導体は、前記第１面及び前記第２面のいずれか一方の面側に第１側鎖を有し、且つ前記第１面及び前記第２面のいずれか他方の面側または前記いずれか一方の面側に、第１側鎖とエッチング選択比が異なる第２側鎖を有する。
