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1. WO2023282114 - パターン形成方法、及びプラズマ処理方法

公開番号 WO/2023/282114
公開日 12.01.2023
国際出願番号 PCT/JP2022/025607
国際出願日 27.06.2022
IPC
H01L 21/3065 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
306化学的または電気的処理,例.電解エッチング
3065プラズマエッチング;反応性イオンエッチング
C08G 77/42 2006.1
C化学;冶金
08有機高分子化合物;その製造または化学的加工;それに基づく組成物
G炭素-炭素不飽和結合のみが関与する反応以外の反応によって得られる高分子化合物
77高分子の主鎖にいおう,窒素,酸素または炭素を有しまたは有せずにけい素を含む連結基を形成する反応により得られる高分子化合物
42ポリシロキサン連鎖を含むブロックまたはグラフト重合体
出願人
  • 東京エレクトロン株式会社 TOKYO ELECTRON LIMITED [JP]/[JP]
  • 国立大学法人東京工業大学 TOKYO INSTITUTE OF TECHNOLOGY [JP]/[JP]
発明者
  • 大和田 伸 OOWADA, Shin
  • 山口 達也 YAMAGUCHI, Tatsuya
  • 浅子 竜一 ASAKO, Ryuichi
  • 福島 孝典 FUKUSHIMA, Takanori
  • 庄子 良晃 SHOJI, Yoshiaki
  • 梶谷 孝 KAJITANI, Takashi
  • 荻原 響 OGIWARA, Hibiki
代理人
  • 伊東 忠重 ITOH, Tadashige
  • 伊東 忠彦 ITOH, Tadahiko
優先権情報
2021-11435309.07.2021JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (ja)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) PATTERN FORMING METHOD AND PLASMA PROCESSING METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE FORMATION DE MOTIF ET PROCÉDÉ DE TRAITEMENT AU PLASMA
(JA) パターン形成方法、及びプラズマ処理方法
要約
(EN) In this pattern forming method for forming a pattern film on a substrate, the pattern film contains a triptycene derivative having a triptycene skeleton. The triptycene skeleton has a first plane on which the 1-position, 8-position, and 13-position of the triptycene skeleton are located, and a second plane on which the 4-position, 5-position, and 16-position of the triptycene skeleton are located. The triptycene derivative has a first side chain on one plane-side among the first plane and the second plane, and a second side chain on the other plane-side among the first plane and the second plane or on said one plane-side, the second side chain having a different etch selectivity than the first side chain.
(FR) L'invention concerne un procédé de formation de motif pour former un film de motif sur un substrat, le film de motif contient un dérivé de triptycène ayant un squelette triptycène. Le squelette triptycène a un premier plan sur lequel la position 1, la position 8, et la position 13 du squelette triptycène sont situées, et un second plan sur lequel la position 4, la position 5 et la position 16 du squelette triptycène sont situées. Le dérivé de triptycène a une première chaîne latérale sur un côté plan parmi le premier plan et le second plan, et une seconde chaîne latérale sur l'autre côté plan parmi le premier plan et le second plan ou sur ledit côté plan, la seconde chaîne latérale ayant une sélectivité de gravure différente de celle de la première chaîne latérale.
(JA) 基板にパターン膜を形成するパターン形成方法であって、前記パターン膜が、トリプチセン骨格を有するトリプチセン誘導体を含有し、前記トリプチセン骨格は、該トリプチセン骨格の1位、8位及び13位が並ぶ第1面と、前記トリプチセン骨格の4位、5位及び16位が並ぶ第2面と、を有し、前記トリプチセン誘導体は、前記第1面及び前記第2面のいずれか一方の面側に第1側鎖を有し、且つ前記第1面及び前記第2面のいずれか他方の面側または前記いずれか一方の面側に、第1側鎖とエッチング選択比が異なる第2側鎖を有する。
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