(EN) Provided are a radiation-sensitive resin composition and a pattern formation method that make it possible to form a resist film that has excellent sensitivity and CDU performance and an excellent residual film ratio, even when next-generation technology is applied. A radiation-sensitive resin composition that contains: a resin that includes a structural unit that has a phenolic hydroxyl group and at least one structural unit from among structural units represented by formula (1) and structural units represented by formula (2); an acid diffusion control agent represented by formula (α); and a solvent (In formula (1), RT is a hydrogen atom, a fluorine atom, a methyl group, or a trifluoromethyl group, and RX is a C1–20 monovalent hydrocarbon group.) (In formula (2), Rc is a hydrogen atom, a fluorine atom, a methyl group, or a trifluoromethyl group, Lc is a single bond or a divalent linking group, and Rc1, Rc2, and Rc3 are each independently a C1–20 monovalent hydrocarbon group.) (In formula (α), Rw is a C1–20 monovalent organic group, a hydroxy group, or an amino group, the Rws being the same or different when there are a plurality of Rws, Lq is a divalent linking group, the Lqs being the same or different when there are a plurality of Lqs, Z+ is a monovalent radiation-sensitive onium cation, q1 is an integer that is 1–4, q2 is an integer that is 0–3, q3 is an integer that is 1–3, and the upper limit of q1+q2+q3 is 6.)
(FR) L'invention concerne une composition de résine sensible au rayonnement et un procédé de formation de motif qui permettent de former un film de réserve qui présente une excellente sensibilité et d'excellentes performances de CDU et un excellent rapport de film résiduel, même lorsqu'une technologie de nouvelle génération est appliquée. L'invention concerne une composition de résine sensible au rayonnement qui contient : une résine qui comprend un motif structural qui a un groupe hydroxyle phénolique et au moins un motif structural parmi les motifs structuraux représentées par la formule (1) et les motifs structuraux représentés par la formule (2) ; un agent de régulation de la diffusion d'acide représenté par la formule (α) ; et un solvant (Dans la formule (1), RT représente un atome d'hydrogène, un atome de fluor, un groupe méthyle ou un groupe trifluorométhyle, et RX représente un groupe hydrocarboné monovalent en C1–20.) (Dans la formule (2), Rc représente un atome d'hydrogène, un atome de fluor, un groupe méthyle ou un groupe trifluorométhyle, Lc représente une liaison simple ou un groupe de liaison divalent et Rc1, Rc2 et Rc3 représentent chacun indépendamment un groupe hydrocarboné monovalent en C1–20.) (Dans la formule (α), Rw représente un groupe organique monovalent en C1-20, un groupe hydroxy ou un groupe amino, les Rw étant identiques ou différents lorsqu'il y a une pluralité de Rw, Lq représente un groupe de liaison divalent, les Lq étant identiques ou différents lorsqu'il y a une pluralité de Lq, Z+ représente un cation onium monovalent sensible au rayonnement, q1 est un nombre entier de 1 à 4, q2 est un nombre entier de 0 à 3, q3 est un nombre entier de 1 à 3 et la limite supérieure de q1 + q2 + q3 est 6.)
(JA) 次世代技術を適用した場合にも感度やＣＤＵ性能、残膜率に優れるレジスト膜を形成可能な感放射線性樹脂組成物及びパターン形成方法を提供する。下記式（１）で表される構造単位及び下記式（２）で表される構造単位のうちの少なくとも１種、並びにフェノール性水酸基を有する構造単位を含む樹脂と、下記式（α）で表される酸拡散制御剤と、溶剤とを含有する感放射線性樹脂組成物。（上記式（１）において、ＲＴは水素原子、フッ素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基である。ＲＸは炭素数１～２０の１価の炭化水素基である。 上記式（２）において、Ｒｃは水素原子、フッ素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基である。Ｌｃは、単結合又は２価の連結基である。Ｒｃ１、Ｒｃ２及びＲｃ３は、それぞれ独立して、炭素数１～２０の１価の炭化水素基である。）（上記式（α）において、Ｒｗは、炭素数１～２０の１価の有機基、ヒドロキシ基又はアミノ基である。Ｒｗが複数存在する場合、複数のＲｗは同一又は異なる。Ｌｑは、２価の連結基である。Ｌｑが複数存在する場合、複数のＬｑは同一又は異なる。Ｚ＋は、１価の感放射線性オニウムカチオンである。ｑ１は１～４の整数である。ｑ２は０～３の整数である。ｑ３は１～３の整数である。ｑ１＋ｑ２＋ｑ３の上限は６である。）
