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1. WO2022255363 - モザイクダイヤモンドウェハと異種半導体との接合体及びその製造方法、並びに、異種半導体との接合体用モザイクダイヤモンドウェハ

公開番号 WO/2022/255363
公開日 08.12.2022
国際出願番号 PCT/JP2022/022138
国際出願日 31.05.2022
IPC
C30B 33/06 2006.1
C化学;冶金
30結晶成長
B単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
33単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理
06結晶の結合
C01B 32/26 2017.1
C化学;冶金
01無機化学
B非金属元素;その化合物
32炭素;その化合物
25ダイヤモンド
26製造
C30B 29/04 2006.1
C化学;冶金
30結晶成長
B単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
29材料または形状によって特徴づけられた単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質
02元素
04ダイヤモンド
C30B 29/38 2006.1
C化学;冶金
30結晶成長
B単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
29材料または形状によって特徴づけられた単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質
10無機化合物または組成物
38窒化物
H01L 21/02 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
H01L 21/304 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
304機械的処理,例.研摩,ポリシング,切断
CPC
C01B 32/26
CCHEMISTRY; METALLURGY
01INORGANIC CHEMISTRY
BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; ; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
32Carbon; Compounds thereof
25Diamond
26Preparation
C30B 29/04
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
29Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
02Elements
04Diamond
C30B 29/38
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
29Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
10Inorganic compounds or compositions
38Nitrides
C30B 33/06
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
33After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
06Joining of crystals
H01L 21/02
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
H01L 21/304
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
302to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
304Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
出願人
  • 国立研究開発法人産業技術総合研究所 NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY [JP]/[JP]
  • 三菱電機株式会社 MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 山田 英明 YAMADA Hideaki
  • 茶谷原 昭義 CHAYAHARA Akiyoshi
  • 杢野 由明 MOKUNO Yoshiaki
  • 松前 貴司 MATSUMAE Takashi
  • 倉島 優一 KURASHIMA Yuuichi
  • 日暮 栄治 HIGURASHI Eiji
  • 高木 秀樹 TAKAGI Hideki
  • 檜座 秀一 HIZA Shuichi
  • 今村 謙 IMAMURA Ken
  • 白柳 裕介 SHIRAYANAGI Yusuke
  • 吉嗣 晃治 YOSHITSUGU Koji
  • 西村 邦彦 NISHIMURA Kunihiko
代理人
  • 西澤 和純 NISHIZAWA Kazuyoshi
  • 大槻 真紀子 OTSUKI Makiko
  • 大浪 一徳 ONAMI Kazunori
優先権情報
2021-09170831.05.2021JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (ja)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) JOINED BODY COMPRISING MOSAIC DIAMOND WAFER AND SEMICONDUCTOR OF DIFFERENT TYPE, METHOD FOR PRODUCING SAME, AND MOSAIC DIAMOND WAFER FOR USE IN JOINED BODY WITH SEMICONDUCTOR OF DIFFERENT TYPE
(FR) CORPS ASSEMBLÉ COMPRENANT UNE TRANCHE DE DIAMANT EN MOSAÏQUE ET UN SEMI-CONDUCTEUR D'UN TYPE DIFFÉRENT, PROCÉDÉ POUR SA PRODUCTION, ET TRANCHE DE DIAMANT EN MOSAÏQUE DESTINÉE À ÊTRE UTILISÉE DANS UN CORPS ASSEMBLÉ AVEC UN SEMI-CONDUCTEUR D'UN TYPE DIFFÉRENT
(JA) モザイクダイヤモンドウェハと異種半導体との接合体及びその製造方法、並びに、異種半導体との接合体用モザイクダイヤモンドウェハ
要約
(EN) This joined body (10) comprising a mosaic diamond wafer and a semiconductor of a different type is obtained by joining a semiconductor (2) of a different type with a mosaic diamond wafer (1) which has a joining interface section (B1) between a plurality of single-crystal diamond substrates (1A, 1B), wherein the maximum height difference at the joining surface (1aa) of the mosaic diamond wafer (1) to the semiconductor (2) of a different type is no more than 10nm.
(FR) L'invention concerne un corps assemblé (10) comprenant une tranche de diamant en mosaïque et un semi-conducteur d'un type différent obtenu par assemblage d'un semi-conducteur (2) d'un type différent avec une tranche de diamant en mosaïque (1) qui présente une section d'interface d'assemblage (B1) entre une pluralité de substrats en diamant monocristallin (1A, 1B), la différence de hauteur maximale au niveau de la surface d'assemblage (1aa) de la tranche de diamant en mosaïque (1) par rapport au semi-conducteur (2) d'un type différent n'étant pas supérieure à 10 nm.
(JA) このモザイクダイヤモンドウェハと異種半導体との接合体(10)は、複数の単結晶ダイヤモンド基板(1A、1B)同士の接合境界部(B1)を有するモザイクダイヤモンドウェハ(1)と、異種半導体(2)とが接合された接合体であって、モザイクダイヤモンドウェハ(1)の、異種半導体(2)との接合面(1aa)における最大の段差が10nm以下である。
関連特許文献
国際事務局に記録されている最新の書誌情報