(EN) This joined body (10) comprising a mosaic diamond wafer and a semiconductor of a different type is obtained by joining a semiconductor (2) of a different type with a mosaic diamond wafer (1) which has a joining interface section (B1) between a plurality of single-crystal diamond substrates (1A, 1B), wherein the maximum height difference at the joining surface (1aa) of the mosaic diamond wafer (1) to the semiconductor (2) of a different type is no more than 10nm.
(FR) L'invention concerne un corps assemblé (10) comprenant une tranche de diamant en mosaïque et un semi-conducteur d'un type différent obtenu par assemblage d'un semi-conducteur (2) d'un type différent avec une tranche de diamant en mosaïque (1) qui présente une section d'interface d'assemblage (B1) entre une pluralité de substrats en diamant monocristallin (1A, 1B), la différence de hauteur maximale au niveau de la surface d'assemblage (1aa) de la tranche de diamant en mosaïque (1) par rapport au semi-conducteur (2) d'un type différent n'étant pas supérieure à 10 nm.
(JA) このモザイクダイヤモンドウェハと異種半導体との接合体(10)は、複数の単結晶ダイヤモンド基板(1A、1B)同士の接合境界部(B1)を有するモザイクダイヤモンドウェハ(1)と、異種半導体(2)とが接合された接合体であって、モザイクダイヤモンドウェハ(1)の、異種半導体(2)との接合面(1aa)における最大の段差が10nm以下である。