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1. WO2022249901 - 流体の流れを制御する装置、断面形状可変流路の製造方法、基板を処理する装置及び流体の流れを制御する方法

公開番号 WO/2022/249901
公開日 01.12.2022
国際出願番号 PCT/JP2022/020254
国際出願日 13.05.2022
IPC
G05D 7/00 2006.1
G物理学
05制御;調整
D非電気的変量の制御または調整系
7流量の制御
H01L 21/205 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
20基板上への半導体材料の析出,例.エピタキシャル成長
205固体を析出させるガス状化合物の還元または分解を用いるもの,すなわち化学的析出を用いるもの
H01L 21/3065 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
306化学的または電気的処理,例.電解エッチング
3065プラズマエッチング;反応性イオンエッチング
H01L 21/31 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
C23C 16/44 2006.1
C化学;冶金
23金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法または化学蒸着による被覆一般
16ガス状化合物の分解による化学的被覆であって,表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの,すなわち化学蒸着(CVD)法
44被覆の方法に特徴のあるもの
CPC
C23C 16/44
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
16Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
44characterised by the method of coating
G05D 7/00
GPHYSICS
05CONTROLLING; REGULATING
DSYSTEMS FOR CONTROLLING OR REGULATING NON-ELECTRIC VARIABLES
7Control of flow
H01L 21/2015
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
20Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth ; solid phase epitaxy
2003Characterised by the substrate
2015the substrate being of crystalline semiconductor material, e.g. lattice adaptation, heteroepitaxy
H01L 21/3065
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
302to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
306Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
3065Plasma etching; Reactive-ion etching
H01L 21/31
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
31to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques
出願人
  • 東京エレクトロン株式会社 TOKYO ELECTRON LIMITED [JP]/[JP]
発明者
  • 廣木 勤 HIROKI Tsutomu
代理人
  • 弁理士法人弥生特許事務所 YAYOY PATENT OFFICE
優先権情報
2021-08866826.05.2021JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (ja)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) DEVICE FOR CONTROLLING FLOW OF FLUID, METHOD FOR MANUFACTURING FLOW PASSAGE HAVING VARIABLE CROSS-SECTIONAL SHAPE, DEVICE FOR PROCESSING SUBSTRATE, AND METHOD FOR CONTROLLING FLOW OF FLUID
(FR) DISPOSITIF DE COMMANDE D'ÉCOULEMENT DE FLUIDE, PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN PASSAGE D'ÉCOULEMENT AYANT UNE FORME DE SECTION TRANSVERSALE VARIABLE, DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT ET PROCÉDÉ DE COMMANDE D'ÉCOULEMENT DE FLUIDE
(JA) 流体の流れを制御する装置、断面形状可変流路の製造方法、基板を処理する装置及び流体の流れを制御する方法
要約
(EN) Provided is a technology for controlling the flow of a fluid by elastically deforming the longitudinal cross-sectional shape of a metal tubular flow passage. This device for controlling the flow of a fluid is provided with a metal flow passage having a variable cross-sectional shape, configured as a tubular flow passage through which the fluid flows, and configured such that the longitudinal cross-sectional shape thereof can be varied by elastic deformation, wherein a flow passage manipulating portion varies the area of the longitudinal cross section by applying an external force to the flow passage having a variable cross-sectional shape to cause a distance between opposing surfaces to vary.
(FR) L'invention concerne une technologie de commande d'écoulement de fluide par déformation élastique de la forme de section transversale longitudinale d'un passage d'écoulement tubulaire métallique. Ce dispositif de commande de l'écoulement d'un fluide est pourvu d'un passage d'écoulement métallique ayant une forme de section transversale variable, configuré sous la forme d'un passage d'écoulement tubulaire dans lequel s'écoule le fluide, et configuré de sorte que sa forme de section transversale longitudinale puisse être modifiée par déformation élastique, une partie de manipulation de passage d'écoulement faisant varier la surface de la section transversale longitudinale en appliquant une force externe au passage d'écoulement ayant une forme de section transversale variable pour entraîner la variation d'une distance entre des surfaces opposées.
(JA) 金属製の筒状の流路の縦断面形状を弾性変形させて流体の流れを制御する技術を提供する。流体の流れを制御する装置には、前記流体が流れる筒状の流路として構成され、弾性変形により前記縦断面形状を変化させることが可能に構成された金属製の断面形状可変流路が設けられ、流路操作部は、前記断面形状可変流路に対し外力を加え、前記対向面間の距離を変化させることにより、その縦断面の面積を変化させる。
関連特許文献
国際事務局に記録されている最新の書誌情報