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1. WO2022225019 - レジスト組成物、レジストパターン形成方法、化合物及び酸発生剤

公開番号 WO/2022/225019
公開日 27.10.2022
国際出願番号 PCT/JP2022/018441
国際出願日 21.04.2022
IPC
C07C 309/12 2006.1
C化学;冶金
07有機化学
C非環式化合物または炭素環式化合物
309スルホン酸;そのハライド,エステルまたは無水物
01スルホン酸
02スルホン酸基が非環式炭素原子に結合しているもの
03非環式飽和炭素骨格の
07炭素骨格に結合している酸素原子を含有するもの
12炭素骨格に結合しているエステル化された水酸基を含有するもの
C07C 381/12 2006.1
C化学;冶金
07有機化学
C非環式化合物または炭素環式化合物
381炭素および硫黄を含有し,C07C301/00~C07C337/00のグループに包含されない官能基をもつ化合物
12スルホニウム化合物
C09K 3/00 2006.1
C化学;冶金
09染料;ペイント;つや出し剤;天然樹脂;接着剤;他に分類されない組成物;他に分類されない材料の応用
K他に分類されない応用される物質;他に分類されない物質の応用
3物質であって,他に分類されないもの
G03F 7/004 2006.1
G物理学
03写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
Fフォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
004感光材料
G03F 7/039 2006.1
G物理学
03写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
Fフォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
004感光材料
039光分解可能な高分子化合物,例.ポジ型電子レジスト
G03F 7/20 2006.1
G物理学
03写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
Fフォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
20露光;そのための装置
CPC
C07C 309/12
CCHEMISTRY; METALLURGY
07ORGANIC CHEMISTRY
CACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
309Sulfonic acids; Halides, esters, or anhydrides thereof
01Sulfonic acids
02having sulfo groups bound to acyclic carbon atoms
03of an acyclic saturated carbon skeleton
07containing oxygen atoms bound to the carbon skeleton
12containing esterified hydroxy groups bound to the carbon skeleton
C07C 381/12
CCHEMISTRY; METALLURGY
07ORGANIC CHEMISTRY
CACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
381Compounds containing carbon and sulfur and having functional groups not covered by groups C07C301/00 - C07C337/00
12Sulfonium compounds
C09K 3/00
CCHEMISTRY; METALLURGY
09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
3Materials not provided for elsewhere
G03F 7/004
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
004Photosensitive materials
G03F 7/039
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
004Photosensitive materials
039Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
G03F 7/20
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
20Exposure; Apparatus therefor
出願人
  • 東京応化工業株式会社 TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD. [JP]/[JP]
発明者
  • グエン カンティン NGUYEN KhanhTin
  • 藤井 達也 FUJII Tatsuya
  • 村田 茉莉 MURATA Mari
代理人
  • 田▲崎▼ 聡 TAZAKI Akira
  • 宮本 龍 MIYAMOTO Ryu
  • 服部 映美 HATTORI Emi
  • 白石 卓也 SHIRAISHI Takuya
優先権情報
2021-07327023.04.2021JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (ja)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) RESIST COMPOSITION, RESIST PATTERN FORMING METHOD, COMPOUND AND ACID GENERATOR
(FR) COMPOSITION DE RÉSERVE, PROCÉDÉ DE FORMATION DE MOTIF DE RÉSERVE, COMPOSÉ ET GÉNÉRATEUR D'ACIDE
(JA) レジスト組成物、レジストパターン形成方法、化合物及び酸発生剤
要約
(EN) A resist composition containing a base component (A) and a compound (B0) represented by general formula (b0) wherein: Rb0 represents a fused ring group containing a fused ring containing one or more aromatic rings, said fused ring group having, as a substituent, an acid degradable group which is decomposed by an acid to form a polar group; Yb0 represents a divalent linking group or a single bond; Vb0 represents a single bond, an alkylene group or a fluoroalkylene group; R0 represents a fluoroalkyl group having 1 to 5 carbon atoms or a fluorine atom; Mm+ represents an m-valent organic cation; and m is an integer of 1 or greater.
(FR) L'invention concerne une composition de réserve contenant un composant de base (A) et un composé (B0) représenté par la formule générale (b0) dans laquelle : Rb0 représente un groupe cyclique fusionné contenant un cycle fusionné contenant un ou plusieurs cycles aromatiques, ledit groupe cyclique fusionné ayant, en tant que substituant, un groupe dégradable par acide qui est décomposé par un acide pour former un groupe polaire ; Yb0 représente un groupe de liaison divalent ou une liaison simple ; Vb0 représente une liaison simple, un groupe alkylène ou un groupe fluoroalkylène ; R0 représente un groupe fluoroalkyle ayant 1 à 5 atomes de carbone ou un atome de fluor ; Mm+ représente un cation organique de valence m ; et m est un nombre entier supérieur ou égal à 1.
(JA) 基材成分(A)と、一般式(b0)で表される化合物(B0)とを含有する、レジスト組成物であり、Rbは、芳香環を1つ以上含む縮合環を含む縮合環式基であり、縮合環式基は、置換基として、酸の作用により分解して極性基を生じる酸分解性基を有し、Ybは、2価の連結基又は単結合であり、Vbは、単結合、アルキレン基又はフッ素化アルキレン基であり、Rは、炭素数1~5のフッ素化アルキル基又はフッ素原子であり、Mm+は、m価の有機カチオンを表し、 mは1以上の整数である。
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