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1. WO2022215275 - 受光素子

公開番号 WO/2022/215275
公開日 13.10.2022
国際出願番号 PCT/JP2021/015102
国際出願日 09.04.2021
IPC
H01L 31/10 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
31赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応する半導体装置で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御かのどちらかに特に適用されるもの;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの細部
08輻射線が装置内を流れる電流を制御するもの,例.光―抵抗器(フォト―レジスター)
10少なくとも1つの電位障壁または表面障壁に特徴のあるもの,例.フォトトランジスタ
H01L 31/0232 2014.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
31赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応する半導体装置で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御かのどちらかに特に適用されるもの;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの細部
02細部
0232装置と結合した光学素子または光学装置
CPC
H01L 31/0232
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02Details
0232Optical elements or arrangements associated with the device
H01L 31/10
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
08in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
10characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. phototransistors
出願人
  • 日本電信電話株式会社 NIPPON TELEGRAPH AND TELEPHONE CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 辰己 詔子 TATSUMI Shoko
  • 中西 泰彦 NAKANISHI Yasuhiko
  • 名田 允洋 NADA Masahiro
代理人
  • 特許業務法人 谷・阿部特許事務所 TANI & ABE, P.C.
優先権情報
公開言語 (言語コード) 日本語 (ja)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) LIGHT-RECEIVING ELEMENT
(FR) ÉLÉMENT RÉCEPTEUR DE LUMIÈRE
(JA) 受光素子
要約
(EN) The present invention provides a light-receiving element having excellent reception characteristics that cancels polarization dependence while realizing elongation of the optical path length. In this light-emitting element (10) in which a first semiconductor layer (12) comprising a first electrically-conductive-type semiconductor formed on the top surface of a substrate (11), a light-absorbing layer (13) comprising a semiconductor, a second semiconductor layer (14) comprising a second electrically-conductive-type semiconductor, a first electrode (15) that is formed in contact with the second semiconductor layer (14) and that comprises metal and functions as a reflective film, and second electrodes (16a, 16b) formed on the first semiconductor layer (12) are formed in the vertical direction of the top surface of the substrate (11), an inclined surface (18) that is neither perpendicular nor parallel to the substrate plane is formed on the substrate (11), and incident light that is incident perpendicular to the inclined surface (18) is made incident on the light-absorbing layer (13) diagonally to the vertical direction.
(FR) La présente invention concerne un élément récepteur de lumière ayant d'excellentes caractéristiques de réception qui annule la dépendance à la polarisation tout en réalisant un allongement de la longueur de trajet optique. Dans cet élément électroluminescent (10) dans lequel une première couche semi-conductrice (12) comprenant un premier semi-conducteur de type électriquement conducteur formé sur la surface supérieure d'un substrat (11), une couche d'absorption de lumière (13) comprenant un semi-conducteur, une seconde couche semi-conductrice (14) comprenant un second semi-conducteur de type électriquement conducteur, une première électrode (15) qui est formée en contact avec la seconde couche semi-conductrice (14) et qui comprend un métal et fonctionne comme un film réfléchissant, et des secondes électrodes (16a, 16b) formées sur la première couche semi-conductrice (12) sont formées dans la direction verticale de la surface supérieure du substrat (11), une surface inclinée (18) qui n'est ni perpendiculaire ni parallèle au plan de substrat, est formée sur le substrat (11), et la lumière incidente qui est incidente perpendiculairement à la surface inclinée (18) est rendue incidente sur la couche d'absorption de lumière (13) diagonalement par rapport à la direction verticale.
(JA) 光路長の伸長を実現しながら偏波依存性を解消し、受信特性の優れた受光素子を提供する。基板(11)の上面に形成された第1導電型の半導体からなる第1半導体層(12)と、半導体からなる光吸収層(13)と、第2導電型の半導体からなる第2半導体層(14)と、前記第2半導体層(14)に接して形成され、金属からなり、反射膜として機能する第1電極(15)と、前記第1半導体層(12)に形成さたれ第2電極(16a,16b)とが前記基板(11)の上面の鉛直方向に形成された受光素子(10)において、前記基板(11)には基板平面に対して垂直でも平行でもない斜面(18)が形成され、前記斜面(18)に垂直に入射された入射光を、前記鉛直方向に対して斜めに前記光吸収層(13)に入射させる。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報