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1. WO2022210149 - 固体撮像素子および固体撮像素子の製造方法

公開番号 WO/2022/210149
公開日 06.10.2022
国際出願番号 PCT/JP2022/013401
国際出願日 23.03.2022
IPC
H01L 31/107 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
31赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応する半導体装置で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御かのどちらかに特に適用されるもの;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの細部
08輻射線が装置内を流れる電流を制御するもの,例.光―抵抗器(フォト―レジスター)
10少なくとも1つの電位障壁または表面障壁に特徴のあるもの,例.フォトトランジスタ
101赤外線,可視光線または紫外線の放射に感応する装置
102唯一の電位障壁または表面障壁に特徴のあるもの
107電位障壁がアバランシェモードで作用するもの,例.アバランシェフォトダイオード
H01L 27/146 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
271つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
14赤外線,可視光,短波長の電磁波または粒子線輻射に感応する半導体構成部品で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御するかのどちらかに特に適用されるもの
144輻射線によって制御される装置
146固体撮像装置構造
CPC
H01L 27/146
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
14including semiconductor components sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
144Devices controlled by radiation
146Imager structures
H01L 31/107
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
08in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
10characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. phototransistors
101Devices sensitive to infra-red, visible or ultra-violet radiation
102characterised by only one potential barrier or surface barrier
107the potential barrier working in avalanche mode, e.g. avalanche photodiode
出願人
  • パナソニックIPマネジメント株式会社 PANASONIC INTELLECTUAL PROPERTY MANAGEMENT CO., LTD. [JP]/[JP]
発明者
  • 可部 達也 KABE Tatsuya
代理人
  • 弁理士法人前田特許事務所 MAEDA & PARTNERS
優先権情報
2021-05711730.03.2021JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (ja)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SOLID-STATE IMAGING ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING SOLID-STATE IMAGING ELEMENT
(FR) ÉLÉMENT D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEURS ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'ÉLÉMENT D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 固体撮像素子および固体撮像素子の製造方法
要約
(EN) In the present invention, a separation groove (L) for insulating and separating adjacent avalanche diodes is formed between the adjacent avalanche diodes, from a second main surface (S2) to a first main surface (S1) side. In the separation groove (L), at least parts of an insulation film (32) and a solid electric charge film (31) are embedded. A metal film (42) and a wire (41) are formed so as to be in contact with second semiconductor layers (22) of the adjacent avalanche diodes and to cover an opening of the separation groove (L).
(FR) Dans la présente invention, une rainure de séparation (L) destinée à isoler et à séparer des diodes à avalanche adjacentes est formée entre les diodes à avalanche adjacentes, d'un second côté de surface principale (S2) à un premier côté de surface principale (S1). Dans la rainure de séparation (L), au moins des parties d'un film isolant (32) et d'un film de charge électrique solide (31) sont incorporées. Un film métallique (42) et un fil (41) sont formés de manière à être en contact avec des secondes couches semi-conductrices (22) des diodes à avalanche adjacentes et à recouvrir une ouverture de la rainure de séparation (L).
(JA) 隣接するアバランシェダイオード同士の間には、隣接するアバランシェダイオードを絶縁して分離する分離溝(L)が、第2主面(S2)から第1主面(S1)側に向かって形成されている。分離溝(L)には、固定電荷膜(31)および絶縁膜(32)の少なくとも一部が埋め込まれている。分離溝(L)の開口を覆い、隣接するアバランシェダイオードの第2半導体層(22)に接する配線(41)および金属膜(42)が形成されている。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報