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1. WO2022202292 - パワー半導体装置および電力変換装置

公開番号 WO/2022/202292
公開日 29.09.2022
国際出願番号 PCT/JP2022/010051
国際出願日 08.03.2022
IPC
H01L 25/07 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
25複数の個々の半導体または他の固体装置からなる組立体
03すべての装置がグループH01L27/00~H01L51/00の同じサブグループに分類される型からなるもの,例.整流ダイオードの組立体
04個別の容器を持たない装置
07装置がグループH01L29/00に分類された型からなるもの
H01L 25/18 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
25複数の個々の半導体または他の固体装置からなる組立体
18装置がグループH01L27/00~H01L51/00の同じメイングループの2つ以上の異なるサブグループに分類される型からなるもの
H02M 7/48 2007.1
H電気
02電力の発電,変換,配電
M交流-交流,交流-直流または直流-直流変換装置,および主要な,または類似の電力供給システムと共に使用するための装置:直流または交流入力-サージ出力変換;そのための制御または調整
7交流入力一直流出力変換;直流入力―交流出力変換
42直流入力―交流出力変換であって非可逆的なもの
44静止型変換器によるもの
48制御電極をもつ放電管または制御電極をもつ半導体装置を用いるもの
CPC
H01L 25/07
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
25Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; ; Multistep manufacturing processes thereof
03all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L51/00, e.g. assemblies of rectifier diodes
04the devices not having separate containers
07the devices being of a type provided for in group H01L29/00
H01L 25/18
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
25Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; ; Multistep manufacturing processes thereof
18the devices being of types provided for in two or more different subgroups of the same main group of groups H01L27/00 - H01L51/00
H02M 7/48
HELECTRICITY
02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
MAPPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
7Conversion of ac power input into dc power output; Conversion of dc power input into ac power output
42Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal
44by static converters
48using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode
出願人
  • 株式会社日立製作所 HITACHI, LTD. [JP]/[JP]
発明者
  • チェン ティ CHEN, Ti
  • 難波 明博 NAMBA, Akihiro
  • 徳山 健 TOKUYAMA, Takeshi
  • 荒木 隆宏 ARAKI, Takahiro
  • 浅井 亨太 ASAI, Kyota
代理人
  • 特許業務法人サンネクスト国際特許事務所 SUNNEXT INTERNATIONAL PATENT OFFICE
優先権情報
2021-04983524.03.2021JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (ja)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) POWER SEMICONDUCTOR DEVICE AND POWER CONVERSION DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR DE PUISSANCE ET DISPOSITIF DE CONVERSION DE PUISSANCE
(JA) パワー半導体装置および電力変換装置
要約
(EN) A power semiconductor device according to the present invention is provided with: a first circuit body constituting an upper arm of an inverter circuit for converting a DC current into an AC current; a second circuit body constituting a lower arm of the inverter circuit; and a circuit board that has therein a through-hole in which the first circuit body and the second circuit body are disposed and that has an intermediate board between the first circuit body and the second circuit body. The intermediate board has an AC wiring pattern for transmitting the AC current, and the first circuit body and the second circuit body are connected to the AC wiring pattern so as to be in surface contact with the AC wiring pattern.
(FR) Un dispositif semi-conducteur de puissance selon la présente invention est pourvu : d'un premier corps de circuit constituant un bras supérieur d'un circuit onduleur pour convertir un courant continu en un courant alternatif ; d'un second corps de circuit constituant un bras inférieur du circuit onduleur ; et d'une carte de circuit imprimé comportant en son sein un trou traversant dans lequel le premier corps de circuit et le second corps de circuit sont disposés et qui possède une carte intermédiaire entre le premier corps de circuit et le second corps de circuit. La carte intermédiaire a un motif de câblage c.a. pour transmettre le courant alternatif, et le premier corps de circuit et le second corps de circuit sont connectés au motif de câblage c.a. de façon à être en contact de surface avec le motif de câblage c.a.
(JA) パワー半導体装置は、直流電流を交流電流に変換するインバータ回路の上アームを構成する第1回路体と、前記インバータ回路の下アームを構成する第2回路体と、前記第1回路体と前記第2回路体が配置される貫通穴を形成し、前記第1回路体と前記第2回路体との間に中間基板を有する回路基板と、を備え、前記中間基板は、前記交流電流を伝達する交流配線パターンを有し、前記交流配線パターンには前記第1回路体と前記第2回路体が面接触して接続される。
関連特許文献
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