(EN) The present disclosure provides a technique that enables a graphene film to be formed, in a conformal manner and with good coverage, on a substrate having a recess. This film forming method includes a load-in step and a film forming step. In the load-in step, the substrate having a recess is loaded into a processing chamber and placed on a placement stand disposed in the processing chamber. In the film forming step, while a high-frequency bias, the power of which is no more than an upper limit determined according to the pressure in the processing chamber, is imparted to the placement stand, a graphene film is formed on the substrate by using a plasma of a mixed gas containing an inert gas and a carbon-containing gas.
(FR) La présente divulgation concerne une technique qui permet la formation, sur un substrat comportant un évidement, d'un film de graphène, qui va épouser les formes et présenter une bonne couverture. Ce procédé de formation de film comprend une étape d'introduction et une étape de formation de film. Lors de l'étape d'introduction, le substrat comportant un évidement est introduit dans une chambre de traitement et placé sur un support de mise en place disposé dans la chambre de traitement. Lors de l'étape de formation de film, tandis qu'une polarisation haute fréquence, dont la puissance n'est pas supérieure à une limite supérieure déterminée en fonction de la pression dans la chambre de traitement, est appliquée sur le support de mise en place, un film de graphène est formé sur le substrat à l'aide d'un plasma d'un gaz mixte contenant un gaz inerte et un gaz contenant du carbone.
(JA) 本開示は、凹部を有する基板にカバレッジ性良く且つコンフォーマルにグラフェン膜を形成することができる技術を提供する。 本開示の成膜方法は、搬入工程と、成膜工程とを含む。搬入工程は、凹部を有する基板を処理容器内に搬入して、処理容器内に設けられた載置台上に載置する。成膜工程は、載置台に電力が処理容器内の圧力に応じて決定される上限値以下である高周波バイアスを印加しながら、不活性ガス及び炭素含有ガスを含む混合ガスのプラズマにより、基板にグラフェン膜を形成する。
