(EN) This silicon carbide semiconductor device is provided with a silicon carbide substrate which has a first main surface and a second main surface that is on the reverse side of the first main surface. The silicon carbide substrate has an end face which connects the first main surface and the second main surface to each other; and the end face comprises an inclined surface which is inclined to the second main surface, while being continued from the boundary with the second main surface.
(FR) La présente invention porte sur un dispositif à semi-conducteur au carbure de silicium, comprenant un substrat de carbure de silicium qui présente une première surface principale et une seconde surface principale qui est au verso de la première surface principale. Le substrat de carbure de silicium a une face d'extrémité qui relie la première surface principale et la seconde surface principale l'une à l'autre; et la face d'extrémité comprend une surface inclinée qui est inclinée vers la seconde surface principale, tout en se poursuivant à partir de la limite avec la seconde surface principale.
(JA) 炭化珪素半導体装置は、第１主面と、前記第１主面と反対側の第２主面とを有する炭化珪素基板を備え、前記炭化珪素基板は、前記第１主面と前記第２主面とをつなぐ端面を有し、前記端面は、前記第２主面との境界から連続し、前記第２主面に対して傾斜した傾斜面を含む。
