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1. WO2022092166 - 熱処理環境の評価方法及び炭化ケイ素基板

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公開番号 WO/2022/092166
公開日 05.05.2022
国際出願番号 PCT/JP2021/039699
国際出願日 27.10.2021
IPC
C30B 29/36 2006.1
C化学;冶金
30結晶成長
B単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
29材料または形状によって特徴づけられた単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質
10無機化合物または組成物
36炭化物
C30B 33/02 2006.1
C化学;冶金
30結晶成長
B単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
33単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理
02熱処理
H01L 21/66 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
66製造または処理中の試験または測定
CPC
C30B 29/36
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
29Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
10Inorganic compounds or compositions
36Carbides
C30B 33/02
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
33After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
02Heat treatment
H01L 22/00
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
22Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
出願人
  • 学校法人関西学院 KWANSEI GAKUIN EDUCATIONAL FOUNDATION [JP]/[JP]
  • 豊田通商株式会社 TOYOTA TSUSHO CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 金子　忠昭 KANEKO, Tadaaki
  • 堂島　大地 DOJIMA, Daichi
代理人
  • 辻田　朋子 TSUJITA, Tomoko
  • 村松　大輔 MURAMATSU, Daisuke
優先権情報
2020-18097128.10.2020JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (ja)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) HEAT TREATMENT ENVIRONMENT EVALUATION METHOD AND SILICON CARBIDE SUBSTRATE
(FR) PROCÉDÉ D'ÉVALUATION D'ENVIRONNEMENT DE TRAITEMENT THERMIQUE ET SUBSTRAT EN CARBURE DE SILICIUM
(JA) 熱処理環境の評価方法及び炭化ケイ素基板
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要約
(EN) The problem addressed by the present invention is to provide a novel feature of evaluating a heat treatment environment. The present invention is a heat treatment environment evaluation method that includes: an image acquisition step S20 for acquiring an image I by introducing electron beam PE at an incident angle θ inclined with respect to a normal vector N of a (0001) plane of a heat-treated SiC substrate 10; and an environment evaluation step S30 for evaluating a heat treatment environment HE of the SiC substrate 10 on the basis of contrast information C of the image I.
(FR) Le problème à la base de la présente invention concerne une nouvelle caractéristique d'évaluation d'un environnement de traitement thermique. La présente invention concerne un procédé d'évaluation d'un environnement de traitement thermique qui comprend: une étape d'acquisition d'image S20 destinée à acquérir une image I par introduction d'un faisceau d'électrons PE sous un angle d'incidence θ incliné par rapport à un vecteur normal N d'un plan (0001) d'un substrat en SiC 10 traité thermiquement ; et une étape d'évaluation d'environnement S30 destinée à évaluer un environnement de traitement thermique HE du substrat en SiC 10 sur la base d'informations de contraste C de l'image I.
(JA) 本発明の解決しようとする課題は、熱処理環境を評価する新規の技術を提供することにある。 本発明は、熱処理されたＳｉＣ基板１０の｛０００１｝面の法線Ｎに対して傾斜した入射角度θで電子線ＰＥを入射して画像Ｉを取得する画像取得工程Ｓ２０と、画像Ｉのコントラスト情報Ｃに基いてＳｉＣ基板１０の熱処理環境ＨＥを評価する環境評価工程Ｓ３０と、を含む、熱処理環境の評価方法である。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報
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