(EN) [Problem] A substrate having a built-in electronic component that comprises a multilayer wiring structure, wherein voids in a via conductor formed in a deep via are prevented, and there is increased adhesion between a shallow via and a via conductor. [Solution] A substrate 100 having a built-in electronic component is provided with conductor layers L1 to L3, insulating layers 112, 113 provided between the conductor layers L2 and L3, an insulating layer 114 provided between the conductor layers L1 and L2, a semiconductor IC 130 embedded into the insulating layers 112, 113, a via conductor 142 embedded into a via V, and a via conductor 143 embedded into a via 143a. The via 143a is provided in a position overlapping the via V, the via 143a being shallower than the via V, and the inner wall of the via 143a having a greater surface roughness than the inner wall of the via V. Thereby, it possible to make the forming of voids less likely in the via conductor 142 embedded into the deeper via V, and to increase the adhesion of the via conductor 143 embedded in the shallower via 143a.
(FR) Le problème décrit par la présente invention est de fournir un substrat doté d'un composant électronique incorporé qui comprend une structure de câblage multicouche, les vides dans un conducteur de trou d'interconnexion formé dans un trou d'interconnexion profond étant empêchés, et il y a une adhérence accrue entre un trou d'interconnexion peu profond et un conducteur de trou d'interconnexion. La solution selon l'invention porte sur un substrat 100 doté d'un composant électronique incorporé qui comprend des couches conductrices L1 à L3, des couches isolantes 112, 113 disposées entre les couches conductrices L2 et L3, une couche isolante 114 disposée entre les couches conductrices L1 et L2, un circuit intégré à semi-conducteur 130 incorporé dans les couches isolantes 112, 113, un conducteur de trou d'interconnexion 142 incorporé dans un trou d'interconnexion V, et un conducteur de trou d'interconnexion 143 incorporé dans un trou d'interconnexion 143a. Le trou d'interconnexion 143a est disposé dans une position chevauchant le trou d'interconnexion V, le trou d'interconnexion 143a étant moins profond que le trou d'interconnexion V, et la paroi interne du trou d'interconnexion 143a ayant une rugosité de surface supérieure à celle de la paroi interne du trou d'interconnexion V. De ce fait, il est possible de réaliser la formation de vides moins susceptible dans le conducteur de trou d'interconnexion 142 incorporé dans le trou d'interconnexion plus profond V, et d'augmenter l'adhérence du conducteur de trou d'interconnexion 143 incorporé dans le trou d'interconnexion moins profond 143a.
(JA) 【課題】多層配線構造を有する電子部品内蔵基板において、深いビアに形成されたビア導体のボイドを防止するとともに、浅いビアとビア導体の密着性を高める。 【解決手段】電子部品内蔵基板１００は、導体層Ｌ１～Ｌ３と、導体層Ｌ２，Ｌ３間に設けられた絶縁層１１２，１１３と、導体層Ｌ１，Ｌ２間に設けられた絶縁層１１４と、絶縁層１１２，１１３に埋め込まれた半導体ＩＣ１３０と、ビアＶに埋め込まれたビア導体１４２と、ビア１４３ａに埋め込まれたビア導体１４３とを備える。ビア１４３ａはビアＶと重なる位置に設けられ、ビア１４３ａはビアＶよりも浅く、ビア１４３ａの内壁はビアＶの内壁よりも表面粗さが大きい。これにより、深さの深いビアＶに埋め込まれたビア導体１４２にボイドが形成されにくくなるとともに、深さの浅いビア１４３ａに埋め込まれたビア導体１４３の密着性を高めることが可能となる。
