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1. WO2022091922 - 信号伝達装置、電子機器、車両

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公開番号 WO/2022/091922
公開日 05.05.2022
国際出願番号 PCT/JP2021/038884
国際出願日 21.10.2021
IPC
H03K 4/502 2006.1
H電気
03基本電子回路
Kパルス技術
4有限の傾斜またはステップ部分を実質的にもつパルスの発生
063角波形をもつもの
08のこぎり波形をもつもの
48半導体装置を能動素子として使用するもの
50のこぎり波状電圧がコンデンサを通して発生するもの
501帰線期間の出発点がコンデンサを横切る電圧の振幅によって決まるもの,例.比較器によるもの
502コンデンサが一定の電流源から充電されるもの
H03K 17/16 2006.1
H電気
03基本電子回路
Kパルス技術
17電子的スイッチングまたはゲート,すなわち,メークおよびブレーク接点によらないもの
16混信電圧または混信電流を消去するための変形
H03K 17/691 2006.1
H電気
03基本電子回路
Kパルス技術
17電子的スイッチングまたはゲート,すなわち,メークおよびブレーク接点によらないもの
51特定の構成要素の使用によって特徴づけられたもの
56能動素子として半導体装置を用いるもの
687装置が電界効果トランジスタであるもの
689制御回路と出力回路の間が電気的に絶縁されたもの
691トランス結合を用いるもの
H01L 21/822 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
701つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品または集積回路からなる装置またはその特定部品の製造または処理;集積回路装置またはその特定部品の製造
771つの共通基板内または上に形成される複数の固体構成部品または集積回路からなる装置の製造または処理
78複数の別個の装置に基板を分割することによるもの
82それぞれが複数の構成部品からなる装置,例.集積回路の製造
822基板がシリコン技術を用いる半導体であるもの
H01L 27/04 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
271つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
02整流,発振,増幅またはスイッチングに特に適用される半導体構成部品を含むものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する集積化された受動回路素子を含むもの
04基板が半導体本体であるもの
H04L 25/02 2006.1
H電気
04電気通信技術
Lデジタル情報の伝送,例.電信通信
25ベースバンド方式
02細部
CPC
H01L 21/822
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
77Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
78with subsequent division of the substrate into plural individual devices
82to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components
822the substrate being a semiconductor, using silicon technology
H01L 27/04
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
04the substrate being a semiconductor body
H02M 7/48
HELECTRICITY
02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
MAPPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
7Conversion of ac power input into dc power output; Conversion of dc power input into ac power output
42Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal
44by static converters
48using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode
H03K 17/16
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
KPULSE TECHNIQUE
17Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
16Modifications for eliminating interference voltages or currents
H03K 17/691
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
KPULSE TECHNIQUE
17Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
51characterised by the components used
56by the use, as active elements, of semiconductor devices
687the devices being field-effect transistors
689with galvanic isolation between the control circuit and the output circuit
691using transformer coupling
H03K 19/0175
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
KPULSE TECHNIQUE
19Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output
0175Coupling arrangements; Interface arrangements
出願人
  • ローム株式会社 ROHM CO., LTD. [JP]/[JP]
発明者
  • 西ノ内　正人 NISHINOUCHI Masato
  • 篠部　晃生 SASABE Akio
  • 菊池　健 KIKUCHI Takeshi
代理人
  • 特許業務法人　佐野特許事務所 SANO PATENT OFFICE
優先権情報
2020-18032328.10.2020JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (ja)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SIGNAL TRANSMISSION DEVICE, ELECTRONIC APPARATUS, AND VEHICLE
(FR) DISPOSITIF DE TRANSMISSION DE SIGNAL, APPAREIL ÉLECTRONIQUE ET VÉHICULE
(JA) 信号伝達装置、電子機器、車両
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要約
(EN) This signal transmission device has a capacitor including a first capacitor element and a second capacitor element connected in parallel so that nodes of different polarities are connected to each other. The signal transmission device converts an analog signal to a pulse signal by using a triangular wave signal generated through charging and discharging of the capacitor, and transmits the pulse signal.
(FR) Ce dispositif de transmission de signal comprend un condensateur comprenant un premier élément de condensateur et un second élément de condensateur connectés en parallèle de telle sorte que des noeuds de polarités différentes sont connectés l'un à l'autre. Le dispositif de transmission de signal convertit un signal analogique en un signal d'impulsion en utilisant un signal d'onde triangulaire généré par la charge et la décharge du condensateur, et transmet le signal d'impulsion.
(JA) 信号伝達装置は、異なる極性のノード同士が互いに接続されるように第１キャパシタ素子及び第２キャパシタ素子を並列接続して成るキャパシタを有し、前記キャパシタの充放電によって生成される三角波信号を用いることにより、アナログ信号をパルス信号に変換して伝達する。
関連特許文献
JP2022559064出願が移行したが国内段階でまだ公開されていないか、WIPO にデータを提供していない国への移行が通知されたか、あるいは出願の形式に問題があり、またはその他の理由で利用可能な状態でないため、PATENTSCOPE で表示できません。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報
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