(EN) The present invention is a distance image capturing element comprising a photoelectric conversion element which produces a charge corresponding to incident light, a charge accumulation unit which accumulates charges, a transfer MOS transistor (hereinafter, TR) which transfers charges to the charge accumulation unit, and a charge discharge TR which discharges charges from the photoelectric conversion element, wherein a pixel circuit is formed on a semiconductor substrate. The photoelectric conversion element is rectangular. 2M (M being an integer, M ≥ 2) of the transfer TRs are provided and 2N (N being an integer, N ≥ 1) of the charge discharge TRs are provided. M of the transfer TRs are formed, in line-symmetry relative to the x-axis passing through the middle of the photoelectric conversion element parallel to the long sides of the photoelectric conversion element, so as to face each of the long sides, and the charge discharge TRs are provided to the short sides.
(FR) La présente invention concerne un élément de capture d'image de distance comprenant un élément de conversion photoélectrique qui produit une charge correspondant à de la lumière incidente, une unité d'accumulation de charges qui accumule des charges, un transistor MOS de transfert (ci-après, TR) qui transfère des charges à l'unité d'accumulation de charges, et un TR de décharge de charges qui décharge des charges de l'élément de conversion photoélectrique, un circuit de pixels étant formé sur un substrat semi-conducteur. L'élément de conversion photoélectrique est rectangulaire. 2M (M étant un nombre entier, M ≥ 2) des TR de transfert sont prévus et 2N (N étant un nombre entier, N ≥ 1) des TR de décharge de charges sont prévus. M des TR de transfert sont formés, selon une symétrie axiale par rapport à l'axe x passant par le milieu de l'élément de conversion photoélectrique parallèle aux côtés longs de l'élément de conversion photoélectrique, de façon à faire face à chacun des côtés longs, et les TR de décharge de charges sont disposés sur les côtés courts.
(JA) 本発明は、入射光に応じた電荷を発生する光電変換素子と、電荷を蓄積する電荷蓄積部と、電荷を電荷蓄積部に転送する転送ＭＯＳトランジスタ（以下、ＴＲ）と、光電変換素子から電荷を排出する電荷排出ＴＲとを備える画素回路が半導体基板上に形成された距離画像撮像素子である。光電変換素子の形状が長方形である。転送ＴＲが２Ｍ（Ｍは整数であり、Ｍ≧２）個、電荷排出ＴＲが２Ｎ（Ｍは整数であり、Ｎ≧１）個設けられている。光電変換素子の長辺に平行で、光電変換素子の中心を通るｘ軸に対して線対称に、当該長辺の各々にＭ個の転送ＴＲが対向して形成され、電荷排出ＴＲが短辺に設けられている。
