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1. WO2022091563 - 距離画像撮像素子及び距離画像撮像装置

公開番号 WO/2022/091563
公開日 05.05.2022
国際出願番号 PCT/JP2021/031721
国際出願日 30.08.2021
IPC
H01L 27/146 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
271つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
14赤外線,可視光,短波長の電磁波または粒子線輻射に感応する半導体構成部品で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御するかのどちらかに特に適用されるもの
144輻射線によって制御される装置
146固体撮像装置構造
G01S 7/481 2006.1
G物理学
01測定;試験
S無線による方位測定;無線による航行;電波の使用による距離または速度の決定;電波の反射または再輻射を用いる位置測定または存在探知;その他の波を用いる類似の装置
7グループG01S13/00,G01S15/00,G01S17/00による方式の細部
48グループG01S17/00による方式のもの
481構造的特徴,例.光学素子の配列
G01S 7/4863 2020.1
G物理学
01測定;試験
S無線による方位測定;無線による航行;電波の使用による距離または速度の決定;電波の反射または再輻射を用いる位置測定または存在探知;その他の波を用いる類似の装置
7グループG01S13/00,G01S15/00,G01S17/00による方式の細部
48グループG01S17/00による方式のもの
483パルス方式の細部
486受信機
4861検出,サンプリング,積分,又は読み出しのための回路
4863検出器アレイ,例.電荷転送ゲート
CPC
G01S 7/481
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
SRADIO DIRECTION-FINDING; RADIO NAVIGATION; DETERMINING DISTANCE OR VELOCITY BY USE OF RADIO WAVES; LOCATING OR PRESENCE-DETECTING BY USE OF THE REFLECTION OR RERADIATION OF RADIO WAVES; ANALOGOUS ARRANGEMENTS USING OTHER WAVES
7Details of systems according to groups G01S13/00, G01S15/00, G01S17/00
48of systems according to group G01S17/00
481Constructional features, e.g. arrangements of optical elements
G01S 7/4863
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
SRADIO DIRECTION-FINDING; RADIO NAVIGATION; DETERMINING DISTANCE OR VELOCITY BY USE OF RADIO WAVES; LOCATING OR PRESENCE-DETECTING BY USE OF THE REFLECTION OR RERADIATION OF RADIO WAVES; ANALOGOUS ARRANGEMENTS USING OTHER WAVES
7Details of systems according to groups G01S13/00, G01S15/00, G01S17/00
48of systems according to group G01S17/00
483Details of pulse systems
486Receivers
4861Circuits for detection, sampling, integration or read-out
4863Detector arrays, e.g. charge-transfer gates
H01L 27/146
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
14including semiconductor components sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
144Devices controlled by radiation
146Imager structures
出願人
  • 凸版印刷株式会社 TOPPAN INC. [JP]/[JP]
発明者
  • 大久保 優 OOKUBO Yu
  • 中込 友洋 NAKAGOME Tomohiro
代理人
  • 松沼 泰史 MATSUNUMA Yasushi
  • 鈴木 史朗 SUZUKI Shirou
  • 清水 雄一郎 SHIMIZU Yuichiro
  • 大槻 真紀子 OTSUKI Makiko
優先権情報
2020-18056328.10.2020JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (ja)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) DISTANCE IMAGE CAPTURING ELEMENT AND DISTANCE IMAGE CAPTURING DEVICE
(FR) ÉLÉMENT ET DISPOSITIF DE CAPTURE D'IMAGE DE DISTANCE
(JA) 距離画像撮像素子及び距離画像撮像装置
要約
(EN) The present invention is a distance image capturing element comprising a photoelectric conversion element which produces a charge corresponding to incident light, a charge accumulation unit which accumulates charges, a transfer MOS transistor (hereinafter, TR) which transfers charges to the charge accumulation unit, and a charge discharge TR which discharges charges from the photoelectric conversion element, wherein a pixel circuit is formed on a semiconductor substrate. The photoelectric conversion element is rectangular. 2M (M being an integer, M ≥ 2) of the transfer TRs are provided and 2N (N being an integer, N ≥ 1) of the charge discharge TRs are provided. M of the transfer TRs are formed, in line-symmetry relative to the x-axis passing through the middle of the photoelectric conversion element parallel to the long sides of the photoelectric conversion element, so as to face each of the long sides, and the charge discharge TRs are provided to the short sides.
(FR) La présente invention concerne un élément de capture d'image de distance comprenant un élément de conversion photoélectrique qui produit une charge correspondant à de la lumière incidente, une unité d'accumulation de charges qui accumule des charges, un transistor MOS de transfert (ci-après, TR) qui transfère des charges à l'unité d'accumulation de charges, et un TR de décharge de charges qui décharge des charges de l'élément de conversion photoélectrique, un circuit de pixels étant formé sur un substrat semi-conducteur. L'élément de conversion photoélectrique est rectangulaire. 2M (M étant un nombre entier, M ≥ 2) des TR de transfert sont prévus et 2N (N étant un nombre entier, N ≥ 1) des TR de décharge de charges sont prévus. M des TR de transfert sont formés, selon une symétrie axiale par rapport à l'axe x passant par le milieu de l'élément de conversion photoélectrique parallèle aux côtés longs de l'élément de conversion photoélectrique, de façon à faire face à chacun des côtés longs, et les TR de décharge de charges sont disposés sur les côtés courts.
(JA) 本発明は、入射光に応じた電荷を発生する光電変換素子と、電荷を蓄積する電荷蓄積部と、電荷を電荷蓄積部に転送する転送MOSトランジスタ(以下、TR)と、光電変換素子から電荷を排出する電荷排出TRとを備える画素回路が半導体基板上に形成された距離画像撮像素子である。光電変換素子の形状が長方形である。転送TRが2M(Mは整数であり、M≧2)個、電荷排出TRが2N(Mは整数であり、N≧1)個設けられている。光電変換素子の長辺に平行で、光電変換素子の中心を通るx軸に対して線対称に、当該長辺の各々にM個の転送TRが対向して形成され、電荷排出TRが短辺に設けられている。
関連特許文献
国際事務局に記録されている最新の書誌情報