処理中

しばらくお待ちください...

設定

設定

出願の表示

1. WO2022091537 - 電磁波検出器および電磁波検出器アレイ

公開番号 WO/2022/091537
公開日 05.05.2022
国際出願番号 PCT/JP2021/030923
国際出願日 24.08.2021
IPC
H01L 31/10 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
31赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応する半導体装置で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御かのどちらかに特に適用されるもの;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの細部
08輻射線が装置内を流れる電流を制御するもの,例.光―抵抗器(フォト―レジスター)
10少なくとも1つの電位障壁または表面障壁に特徴のあるもの,例.フォトトランジスタ
G01J 1/02 2006.1
G物理学
01測定;試験
J赤外線,可視光線または紫外線の強度,速度,スペクトル,偏光,位相またはパルスの測定;色の測定;放射温度測定
1測光,例.写真の露出計
02細部
H01L 27/144 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
271つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
14赤外線,可視光,短波長の電磁波または粒子線輻射に感応する半導体構成部品で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御するかのどちらかに特に適用されるもの
144輻射線によって制御される装置
CPC
G01J 1/02
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
JMEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRA-RED, VISIBLE OR ULTRA-VIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
1Photometry, e.g. photographic exposure meter
02Details
H01L 27/144
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
14including semiconductor components sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
144Devices controlled by radiation
H01L 31/10
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
08in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
10characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. phototransistors
Y02P 70/50
YSECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
70Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
50Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
出願人
  • 三菱電機株式会社 MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 嶋谷 政彰 SHIMATANI, Masaaki
  • 小川 新平 OGAWA, Shimpei
  • 福島 昌一郎 FUKUSHIMA, Shoichiro
  • 奥田 聡志 OKUDA, Satoshi
代理人
  • 弁理士法人深見特許事務所 FUKAMI PATENT OFFICE, P.C.
優先権情報
2020-17899726.10.2020JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (ja)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) ELECTROMAGNETIC WAVE DETECTOR AND ELECTROMAGNETIC WAVE DETECTOR ARRAY
(FR) DÉTECTEUR D'ONDES ÉLECTROMAGNÉTIQUES ET RÉSEAU DE DÉTECTEURS D'ONDES ÉLECTROMAGNÉTIQUES
(JA) 電磁波検出器および電磁波検出器アレイ
要約
(EN) An electromagnetic wave detector (100) comprises a semiconductor layer (4), a two-dimensional material layer (1), a first electrode part (2a), a second electrode part (2b), and a ferroelectric layer (5). The two-dimensional material layer (1) is electrically connected to the semiconductor layer (4). The first electrode part (2a) is electrically connected to the two-dimensional material layer (1). The second electrode part (2b) is electrically connected to the two-dimensional material layer (1) via the semiconductor layer (4). The ferroelectric layer (5) is electrically connected to at least one of the first electrode part (2a), the second electrode part (2b), and the semiconductor layer (4). The electromagnetic wave detector (100) is configured such that the electric field generated from the ferroelectric layer (5) is shielded with respect to the two-dimensional material layer (1). In addition, the ferroelectric layer (5) is arranged so as not to overlap with the two-dimensional material layer (1) in plan view.
(FR) L'invention concerne un détecteur d'ondes électromagnétiques (100) comprenant une couche semi-conductrice (4), une couche de matériau bidimensionnel (1), une première partie d'électrode (2a), une seconde partie d'électrode (2b), et une couche ferroélectrique (5). La couche de matériau bidimensionnel (1) est électriquement connectée à la couche semi-conductrice (4). La première partie d'électrode (2a) est électriquement connectée à la couche de matériau bidimensionnel (1). La seconde partie d'électrode (2b) est électriquement connectée à la couche de matériau bidimensionnel (1) par l'intermédiaire de la couche semi-conductrice (4). La couche ferroélectrique (5) est électriquement connectée à au moins l'une de la première partie d'électrode (2a), de la seconde partie d'électrode (2b) et de la couche semi-conductrice (4). Le détecteur d'ondes électromagnétiques (100) est configuré de telle sorte que le champ électrique généré à partir de la couche ferroélectrique (5) est protégé par rapport à la couche de matériau bidimensionnel (1). De plus, la couche ferroélectrique (5) est agencée de manière à ne pas chevaucher la couche de matériau bidimensionnel (1) dans une vue en plan.
(JA) 電磁波検出器(100)は、半導体層(4)と、二次元材料層(1)と、第1電極部(2a)と、第2電極部(2b)と、強誘電体層(5)とを備えている。二次元材料層(1)は、半導体層(4)に電気的に接続されている。第1電極部(2a)は、二次元材料層(1)に電気的に接続されている。第2電極部(2b)は、半導体層(4)を介して二次元材料層(1)に電気的に接続されている。強誘電体層(5)は、第1電極部(2a)、第2電極部(2b)および半導体層(4)の少なくともいずれかと電気的に接続されている。電磁波検出器(100)が二次元材料層(1)に対して強誘電体層(5)から生じる電界が遮蔽されるように構成されている。または、強誘電体層(5)は、二次元材料層(1)と平面視で重ならないように配置されている。
関連特許文献
国際事務局に記録されている最新の書誌情報