(EN) This charged particle beam device comprises: a charged particle optical system for emitting a pulsed charged particle beam onto a sample; an optical system for emitting light onto the sample; a detector for detecting secondary charged particles radiated as a result of the emission of the pulsed charged particle beam onto the sample; a control unit for controlling the charged particle optical system such that the pulsed charged particle beam is emitted onto the sample according to a prescribed electron beam pulse condition and controlling the optical system such that the light is emitted onto the sample according to a prescribed light emission condition; and a computation device for setting a prescribed electron beam pulse condition and a prescribed light emission condition. The computation device causes the light to be emitted onto the sample according to a plurality of light emission conditions and makes one of the plurality of light emission conditions the prescribed light emission condition on the basis of the difference between a secondary charged particle signal amount detected by the detector as a result of the emission of the pulsed charged particle beam according to a first electron beam pulse condition and a secondary charged particle signal amount detected by the detector as a result of the emission of the pulsed charged particle beam according to a second electron beam pulse condition different from the first electron beam pulse condition.
(FR) La présente invention concerne un dispositif à faisceau de particules chargées qui comprend : un système optique à particules chargées pour émettre un faisceau de particules chargées pulsées sur un échantillon ; un système optique pour émettre de la lumière sur l'échantillon ; un détecteur pour détecter des particules chargées secondaires émises suite à l'émission du faisceau de particules chargées pulsées sur l'échantillon ; une unité de commande pour commander le système optique à particules chargées de telle sorte que le faisceau de particules chargées pulsées est émis sur l'échantillon selon une condition d'impulsion de faisceau d'électrons prescrite et pour commander le système optique de telle sorte que la lumière est émise sur l'échantillon selon une condition d'émission de lumière prescrite ; et un dispositif de calcul pour régler une condition d'impulsion de faisceau d'électrons prescrite et une condition d'émission de lumière prescrite. Le dispositif de calcul entraîne l'émission de lumière sur l'échantillon selon une pluralité de conditions d'émission de lumière et fait de l'une de la pluralité de conditions d'émission de lumière la condition d'émission de lumière prescrite sur la base de la différence entre une quantité de signal de particules chargées secondaires détectée par le détecteur en résultat de l'émission du faisceau de particules chargées pulsées en fonction d'une première condition d'impulsion de faisceau d'électrons et d'une quantité de signal de particules chargées secondaires détectée par le détecteur en résultat de l'émission du faisceau de particules chargées pulsées selon une seconde condition d'impulsion de faisceau d'électrons différente de la première condition d'impulsion de faisceau d'électrons.
(JA) パルス荷電粒子線を試料に照射する荷電粒子光学系と、光を試料に照射する光学系と、パルス荷電粒子線が試料に照射されることにより放出される二次荷電粒子を検出する検出器と、所定の電子線パルス条件にてパルス荷電粒子線を試料に照射するよう荷電粒子光学系を制御し、所定の光照射条件にて光を試料に照射するよう光学系を制御する制御部と、所定の電子線パルス条件及び所定の光照射条件を設定する計算装置とを有する荷電粒子線装置であって、計算装置は、複数の光照射条件で試料に光を照射し、第１の電子線パルス条件でパルス荷電粒子線を照射することにより検出器が検出する二次荷電粒子信号量と第１の電子線パルス条件とは異なる第２の電子線パルス条件でパルス荷電粒子線を照射することにより検出器が検出する二次荷電粒子信号量との差分に基づき、複数の光照射条件のいずれかを所定の光照射条件に設定する。
