(EN) The present invention provides a semiconductor device which has an efficient electric field attenuation effect with respect to a crystalline oxide semiconductor layer. With respect to a semiconductor device which comprises a gate electrode that is at least partially buried in a semiconductor layer, a deep p layer that is at least partially buried in the semiconductor layer to a position that is equal to or deeper than the position of the buried lower end of the gate electrode, and a channel layer, the deep p layer is composed of a crystalline oxide semiconductor, and the electric field of the crystalline oxide semiconductor is efficiently attenuated by having the carrier concentration thereof higher than that of the channel layer, thereby having a good electric field distribution within the semiconductor layer or within a gate insulating layer.
(FR) La présente invention concerne un dispositif à semi-conducteur qui a un effet d'atténuation de champ électrique efficace par rapport à une couche semi-conductrice à oxyde cristallin. Par rapport à un dispositif à semi-conducteur qui comprend une électrode de grille qui est au moins partiellement enfouie dans une couche semi-conductrice, une couche p profonde qui est au moins partiellement enfouie dans la couche semi-conductrice jusqu'à une position qui est égale ou plus profonde que la position de l'extrémité inférieure enfouie de l'électrode de grille, et une couche de canal, la couche p profonde est composée d'un semi-conducteur à oxyde cristallin, et le champ électrique du semi-conducteur à oxyde cristallin est efficacement atténué en ayant la concentration en porteurs de celui-ci supérieure à celle de la couche de canal, ce qui permet d'obtenir une bonne distribution de champ électrique à l'intérieur de la couche semi-conductrice ou à l'intérieur d'une couche d'isolation de grille.
(JA) 結晶性酸化物半導体層に対し効率的な電界緩和効果を有する半導体装置を提供する。半導体層に少なくとも一部が埋設されているゲート電極と、前記ゲート電極の埋設下端部と同じ深さかまたは前記埋設下端部よりも深い位置にまで少なくとも一部が前記半導体層に埋設されているディープp層と、チャネル層とを含む半導体装置において、前記ディープp層を結晶性酸化物半導体として、前記結晶性酸化物半導体に対して、前記チャネル層よりもキャリア濃度が高くして、効率的に電界緩和し、ゲート絶縁膜や前記半導体層内の電界分布を良好なものとする。