(EN) This substrate processing method comprises: a step for preparing a substrate which has a recess and a first film that is buried in the recess; and a step for removing the first film by etching, while forming a second film so as to cover the recess, from which the first film has been removed, by supplying a processing gas to the substrate, said processing gas containing a gas that contributes to film formation and a gas that contributes to etching.
(FR) Procédé de traitement de substrat comprenant : une étape de préparation d'un substrat qui présente un évidement et un premier film qui est enfoncé dans l'évidement ; et une étape d'élimination du premier film par gravure, tout en formant un second film de manière à recouvrir l'évidement, duquel le premier film a été retiré, en apportant un gaz de traitement au substrat, ledit gaz de traitement contenant un gaz qui contribue à la formation de film et un gaz qui contribue à la gravure.
(JA) 基板処理方法は、凹部を有し、凹部内に第1の膜が埋め込まれた基板を準備することと、基板に成膜に寄与するガスとエッチングに寄与するガスとを含む処理ガスを供給して、第1の膜をエッチング除去するとともに、第1の膜が除去された前記凹部の上を覆うように第2の膜を成膜することとを有する。