(EN) A semiconductor laser element (1) emits laser light and is provided with a substrate (10), a first semiconductor layer (20) arranged above the substrate (10), a light emitting layer (30) arranged above the first semiconductor layer (20), a second semiconductor layer (40) arranged above the light emitting layer (30), and a dielectric layer (60) arranged above the second semiconductor layer (40), wherein: the second semiconductor layer (40) has a waveguide section (40a) for guiding laser light; the width of at least one portion of the waveguide section (40a) is modulated relative to the position of the longitudinal direction of a resonator, which is the direction of the longer side of the waveguide section (40a); the waveguide section (40a) has a first waveguide section (40a1) and a second waveguide section (40a2) which is wider than the first waveguide section (40a1); and the difference in effective refractive index between the inner side of the waveguide section (40a) and the outer side of the waveguide section (40a) is larger in the second waveguide section (40a2) than in the first waveguide section (40a1).
(FR) L'invention concerne un élément laser à semi-conducteur (1) qui émet une lumière laser et comprend un substrat (10), une première couche semi-conductrice (20) disposée au-dessus du substrat (10), une couche électroluminescente (30) disposée au-dessus de la première couche semi-conductrice (20), une seconde couche semi-conductrice (40) disposée au-dessus de la couche électroluminescente (30), et une couche diélectrique (60) disposée au-dessus de la seconde couche semi-conductrice (40), la seconde couche semi-conductrice (40) présente une section de guide d'ondes (40a) pour guider la lumière laser ; la largeur d'au moins une partie de la section de guide d'ondes (40a) est modulée par rapport à la position de la direction longitudinale d'un résonateur, qui est la direction du côté plus long de la section de guide d'ondes (40a) ; la section de guide d'ondes (40a) présente une première section de guide d'ondes (40a1) et une seconde section de guide d'ondes (40a2) qui est plus large que la première section de guide d'ondes (40a1) ; et la différence d'indice de réfraction effectif entre le côté interne de la section de guide d'ondes (40a) et le côté externe de la section de guide d'ondes (40a) est plus grand dans la seconde section de guide d'ondes (40a2) que dans la première section de guide d'ondes (40a1).
(JA) 半導体レーザ素子（１）は、レーザ光を出射する半導体レーザ素子（１）であって、基板（１０）と、基板（１０）の上方に配置される第１半導体層（２０）と、第１半導体層（２０）の上方に配置される発光層（３０）と、発光層（３０）の上方に配置される第２半導体層（４０）と、第２半導体層（４０）の上方に配置される誘電体層（６０）とを備え、第２半導体層（４０）は、レーザ光を導波する導波路部（４０ａ）を有し、導波路部（４０ａ）の少なくとも一部の幅は、導波路部（４０ａ）の長手方向である共振器長方向の位置に対して変調されており、導波路部（４０ａ）は、第１導波路部（４０ａ１）と、第１導波路部（４０ａ１）より幅が広い第２導波路部（４０ａ２）とを有し、導波路部（４０ａ）の内側及び導波路部（４０ａ）の外側の有効屈折率の差は、第１導波路部（４０ａ１）よりも、第２導波路部（４０ａ２）の方が大きい。
