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1. WO2022070544 - 半導体レーザ素子

公開番号 WO/2022/070544
公開日 07.04.2022
国際出願番号 PCT/JP2021/025862
国際出願日 08.07.2021
IPC
H01S 5/22 2006.1
H電気
01基本的電気素子
S光を増幅または生成するために,放射の誘導放出による光増幅を用いた装置;光領域以外の電磁放射の誘導放出を用いた装置
5半導体レーザ
20半導体本体の光を導波する構造または形状
22リッジまたはストライプ構造を有するもの
H01S 5/343 2006.1
H電気
01基本的電気素子
S光を増幅または生成するために,放射の誘導放出による光増幅を用いた装置;光領域以外の電磁放射の誘導放出を用いた装置
5半導体レーザ
30活性領域の構造または形状;活性領域に用いられる材料
34量子井戸または超格子構造を含むもの,例.単一量子井戸型レーザ,多重量子井戸型レーザ,傾斜屈折率型分離閉じ込めヘテロ構造レーザ[7]
343A↓I↓I↓IB↓V族化合物におけるもの,例.AlGaAsレーザ
CPC
H01S 5/22
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
20Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
22having a ridge or stripe structure
H01S 5/343
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
30Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
34comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well lasers [SQW-lasers], multiple quantum well lasers [MQW-lasers] or graded index separate confinement heterostructure lasers [GRINSCH-lasers]
343in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser ; , InP-based laser
出願人
  • パナソニック株式会社 PANASONIC CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 萩野 裕幸 HAGINO, Hiroyuki
代理人
  • 新居 広守 NII, Hiromori
  • 寺谷 英作 TERATANI, Eisaku
  • 道坂 伸一 MICHISAKA, Shinichi
優先権情報
2020-16638230.09.2020JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (ja)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SEMICONDUCTOR LASER ELEMENT
(FR) ÉLÉMENT LASER À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体レーザ素子
要約
(EN) A semiconductor laser element (1) emits laser light and is provided with a substrate (10), a first semiconductor layer (20) arranged above the substrate (10), a light emitting layer (30) arranged above the first semiconductor layer (20), a second semiconductor layer (40) arranged above the light emitting layer (30), and a dielectric layer (60) arranged above the second semiconductor layer (40), wherein: the second semiconductor layer (40) has a waveguide section (40a) for guiding laser light; the width of at least one portion of the waveguide section (40a) is modulated relative to the position of the longitudinal direction of a resonator, which is the direction of the longer side of the waveguide section (40a); the waveguide section (40a) has a first waveguide section (40a1) and a second waveguide section (40a2) which is wider than the first waveguide section (40a1); and the difference in effective refractive index between the inner side of the waveguide section (40a) and the outer side of the waveguide section (40a) is larger in the second waveguide section (40a2) than in the first waveguide section (40a1).
(FR) L'invention concerne un élément laser à semi-conducteur (1) qui émet une lumière laser et comprend un substrat (10), une première couche semi-conductrice (20) disposée au-dessus du substrat (10), une couche électroluminescente (30) disposée au-dessus de la première couche semi-conductrice (20), une seconde couche semi-conductrice (40) disposée au-dessus de la couche électroluminescente (30), et une couche diélectrique (60) disposée au-dessus de la seconde couche semi-conductrice (40), la seconde couche semi-conductrice (40) présente une section de guide d'ondes (40a) pour guider la lumière laser ; la largeur d'au moins une partie de la section de guide d'ondes (40a) est modulée par rapport à la position de la direction longitudinale d'un résonateur, qui est la direction du côté plus long de la section de guide d'ondes (40a) ; la section de guide d'ondes (40a) présente une première section de guide d'ondes (40a1) et une seconde section de guide d'ondes (40a2) qui est plus large que la première section de guide d'ondes (40a1) ; et la différence d'indice de réfraction effectif entre le côté interne de la section de guide d'ondes (40a) et le côté externe de la section de guide d'ondes (40a) est plus grand dans la seconde section de guide d'ondes (40a2) que dans la première section de guide d'ondes (40a1).
(JA) 半導体レーザ素子(1)は、レーザ光を出射する半導体レーザ素子(1)であって、基板(10)と、基板(10)の上方に配置される第1半導体層(20)と、第1半導体層(20)の上方に配置される発光層(30)と、発光層(30)の上方に配置される第2半導体層(40)と、第2半導体層(40)の上方に配置される誘電体層(60)とを備え、第2半導体層(40)は、レーザ光を導波する導波路部(40a)を有し、導波路部(40a)の少なくとも一部の幅は、導波路部(40a)の長手方向である共振器長方向の位置に対して変調されており、導波路部(40a)は、第1導波路部(40a1)と、第1導波路部(40a1)より幅が広い第2導波路部(40a2)とを有し、導波路部(40a)の内側及び導波路部(40a)の外側の有効屈折率の差は、第1導波路部(40a1)よりも、第2導波路部(40a2)の方が大きい。
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