(EN) This piezoelectric film-equipped substrate and this piezoelectric element are each provided with a lower electrode layer and a piezoelectric film on the substrate in this order. When B is used as a B-site element in a perovskite-type structure, the piezoelectric film includes a first region that contains a perovskite-type oxide represented by general formula PbδBO3, 1≤δ≤1.5 and a second region that contains an oxide formed from the same elements as that of the first region and represented by general formula PbαBO3, δ/3≤α<δ. The second region is provided to an uppermost layer on an opposite side to the lower electrode layer of the piezoelectric film.
(FR) Ce substrat équipé d'un film piézoélectrique et cet élément piézoélectrique sont chacun dotés d'une couche d'électrode inférieure et d'un film piézoélectrique sur le substrat dans cet ordre. Lorsque B est utilisé comme élément de site B dans une structure de type pérovskite, le film piézoélectrique comprend une première région qui contient un oxyde de type pérovskite représenté par La formule générale PbδBO3, 1 ≤ δ ≤ 1,5 et une seconde région qui contient un oxyde constitué des mêmes éléments que ceux de la première région et représenté par la formule générale PbαBO3, δ/3 ≤ α < δ. La seconde région est disposée sur une couche supérieure sur un côté opposé à la couche d'électrode inférieure du film piézoélectrique.
(JA) 圧電膜付き基板及び圧電素子は、基板上に、下部電極層、及び圧電膜をこの順に備えた圧電膜付き基板であって、Ｂをペロブスカイト型構造におけるＢサイト元素とした場合に、圧電膜が、下記一般式ＰｂδＢＯ３，１≦δ≦１．５で表されるペロブスカイト型酸化物を含む第１領域と、第１領域と同一の元素からなる下記一般式ＰｂαＢＯ３，δ／３≦α＜δで表される酸化物を含む第２領域とを含み、第２領域が、圧電膜の下部電極層とは反対側の最表層に設けられている。
