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1. WO2022070521 - 圧電膜付き基板及び圧電素子

公開番号 WO/2022/070521
公開日 07.04.2022
国際出願番号 PCT/JP2021/022400
国際出願日 11.06.2021
IPC
H01L 41/047 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
41圧電装置一般;電歪装置一般;磁歪装置一般;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
02細部
04圧電または電歪素子のもの
047電極
H01L 41/187 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
41圧電装置一般;電歪装置一般;磁歪装置一般;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
16材料の選択
18圧電または電歪素子用
187セラミック組成物
CPC
H01L 41/047
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
41Piezo-electric devices in general; Electrostrictive devices in general; Magnetostrictive devices in general; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02Details
04of piezo-electric or electrostrictive devices
047Electrodes ; or electrical connection arrangements
H01L 41/187
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
41Piezo-electric devices in general; Electrostrictive devices in general; Magnetostrictive devices in general; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
16Selection of materials
18for piezo-electric or electrostrictive devices ; , e.g. bulk piezo-electric crystals
187Ceramic compositions ; , i.e. synthetic inorganic polycrystalline compounds incl. epitaxial, quasi-crystalline materials
出願人
  • 富士フイルム株式会社 FUJIFILM CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 中村 誠吾 NAKAMURA, Seigo
代理人
  • 特許業務法人太陽国際特許事務所 TAIYO, NAKAJIMA & KATO
優先権情報
2020-16640530.09.2020JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (ja)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) PIEZOELECTRIC FILM-EQUIPPED SUBSTRATE AND PIEZOELECTRIC ELEMENT
(FR) SUBSTRAT ÉQUIPÉ D'UN FILM PIÉZOÉLECTRIQUE ET ÉLÉMENT PIÉZOÉLECTRIQUE
(JA) 圧電膜付き基板及び圧電素子
要約
(EN) This piezoelectric film-equipped substrate and this piezoelectric element are each provided with a lower electrode layer and a piezoelectric film on the substrate in this order. When B is used as a B-site element in a perovskite-type structure, the piezoelectric film includes a first region that contains a perovskite-type oxide represented by general formula PbδBO3, 1≤δ≤1.5 and a second region that contains an oxide formed from the same elements as that of the first region and represented by general formula PbαBO3, δ/3≤α<δ. The second region is provided to an uppermost layer on an opposite side to the lower electrode layer of the piezoelectric film.
(FR) Ce substrat équipé d'un film piézoélectrique et cet élément piézoélectrique sont chacun dotés d'une couche d'électrode inférieure et d'un film piézoélectrique sur le substrat dans cet ordre. Lorsque B est utilisé comme élément de site B dans une structure de type pérovskite, le film piézoélectrique comprend une première région qui contient un oxyde de type pérovskite représenté par La formule générale PbδBO3, 1 ≤ δ ≤ 1,5 et une seconde région qui contient un oxyde constitué des mêmes éléments que ceux de la première région et représenté par la formule générale PbαBO3, δ/3 ≤ α < δ. La seconde région est disposée sur une couche supérieure sur un côté opposé à la couche d'électrode inférieure du film piézoélectrique.
(JA) 圧電膜付き基板及び圧電素子は、基板上に、下部電極層、及び圧電膜をこの順に備えた圧電膜付き基板であって、Bをペロブスカイト型構造におけるBサイト元素とした場合に、圧電膜が、下記一般式PbδBO,1≦δ≦1.5で表されるペロブスカイト型酸化物を含む第1領域と、第1領域と同一の元素からなる下記一般式PbαBO,δ/3≦α<δで表される酸化物を含む第2領域とを含み、第2領域が、圧電膜の下部電極層とは反対側の最表層に設けられている。
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