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1. WO2022070310 - 基板処理装置、温度制御プログラム、半導体装置の製造方法及び温度制御方法

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公開番号 WO/2022/070310
公開日 07.04.2022
国際出願番号 PCT/JP2020/037162
国際出願日 30.09.2020
IPC
H01L 21/31 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
CPC
H01L 21/31
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
31to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques
出願人
  • 株式会社ＫＯＫＵＳＡＩ　ＥＬＥＣＴＲＩＣ KOKUSAI ELECTRIC CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 山口　英人 YAMAGUCHI, Hideto
  • 重松　聖也 SHIGEMATSU, Seiya
  • 上野　正昭 UENO, Masaaki
  • 杉下　雅士 SUGISHITA, Masashi
  • 前田　修平 MAEDA, Syuhei
  • 小杉　哲也 KOSUGI, Tetsuya
代理人
  • 弁理士法人太陽国際特許事務所 TAIYO, NAKAJIMA & KATO
優先権情報
公開言語 (言語コード) 日本語 (ja)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SUBSTRATE PROCESSING DEVICE, TEMPERATURE CONTROL PROGRAM, METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, AND TEMPERATURE CONTROL METHOD
(FR) DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT, PROGRAMME DE COMMANDE DE TEMPÉRATURE, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE COMMANDE DE TEMPÉRATURE
(JA) 基板処理装置、温度制御プログラム、半導体装置の製造方法及び温度制御方法
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要約
(EN) Provided is a substrate processing device comprising a cooling control unit which acquires information about the temperature of a heating unit and/or the temperature of a processing chamber, the degree of opening of a cooling valve, and an exhaust fan, and adjusts the degree of opening of the cooling valve so as to minimize an error between a predicted temperature series calculated in accordance with a prediction model and a target temperature series calculated according to the rate of change from a current target temperature to a final target temperature.
(FR) L'invention concerne un dispositif de traitement de substrat comprenant une unité de commande de refroidissement qui acquiert des informations concernant la température d'une unité de chauffage et/ou la température d'une chambre de traitement, le degré d'ouverture d'une vanne de refroidissement, et un ventilateur d'évacuation, et règle le degré d'ouverture de la vanne de refroidissement de façon à minimiser une erreur entre une série de températures prédites calculée conformément à un modèle de prédiction et une série de températures cible calculée en fonction de la vitesse de changement d'une température cible actuelle à une température cible finale.
(JA) 加熱部の温度、及び、処理室の温度のうち少なくともいずれか一つの温度、冷却バルブの開度、排気ファンの情報をそれぞれ取得して予測モデルに従って算出される予測温度列と現在の目標温度から最終目標温度まで変化するときの変化の割合により算出される目標温度列との誤差が最小となるように、冷却バルブの開度を調整する冷却制御部と、を有するよう構成されている。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報
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