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1. WO2022070264 - 半導体製造装置および半導体装置の製造方法

公開番号 WO/2022/070264
公開日 07.04.2022
国際出願番号 PCT/JP2020/036949
国際出願日 29.09.2020
IPC
H01L 21/302 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
CPC
H01L 21/02
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
H01L 21/302
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
302to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
H01L 21/311
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
31to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques
3105After-treatment
311Etching the insulating layers ; by chemical or physical means
H01L 21/67
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
出願人
  • 株式会社日立ハイテク HITACHI HIGH-TECH CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 山田 将貴 YAMADA, Masaki
代理人
  • 特許業務法人筒井国際特許事務所 TSUTSUI & ASSOCIATES
優先権情報
公開言語 (言語コード) 日本語 (ja)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) APPARATUS FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR AND METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) APPAREIL DE PRODUCTION DE SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体製造装置および半導体装置の製造方法
要約
(EN) The present invention provides an etching apparatus or an etching method, which improves the yield of an etching process of a film that is configured to contain SiO2. As a means for achieving the above, the present invention uses an apparatus for producing a semiconductor, said apparatus having a processing chamber which is within a processing container and is provided with: a feed port for introducing a processing gas that contains a vapor of hydrogen fluoride and a vapor of an alcohol; a sample stage which is arranged in the processing chamber, and on the upper surface of which a wafer to be processed is placed; and an electrode which is arranged within the sample stage, and to which a direct-current power is applied, said direct-current power forming an electric field in a first layer that is formed on the upper surface of the wafer by means of the processing gas when a first film that has been formed on the upper surface of the wafer is etched.
(FR) La présente invention concerne un appareil de gravure ou un procédé de gravure, améliorant le rendement d'un procédé de gravure d'un film conçu pour contenir du SiO2. En tant que moyen permettant d'atteindre l'objectif susmentionné, la présente invention fait appel à un appareil de production d'un semi-conducteur, ledit appareil comportant une chambre de traitement située à l'intérieur d'un contenant de traitement et comportant : un orifice d'alimentation servant à introduire un gaz de traitement qui contient une vapeur de fluorure d'hydrogène et une vapeur d'un alcool ; une platine d'échantillon qui est disposée dans la chambre de traitement, et sur la surface supérieure de laquelle est placée une tranche à traiter ; et une électrode qui est disposée à l'intérieur de la platine d'échantillon, et à laquelle est appliquée de la puissance en courant continu, ladite puissance en courant continu formant un champ électrique dans une première couche qui est formée sur la surface supérieure de la tranche au moyen du gaz de traitement lors de la gravure d'un premier film qui a été formé sur la surface supérieure de la tranche.
(JA) SiO2を含んで構成された膜のエッチングにおいて処理の歩留まりを向上させたエッチング装置またはエッチング方法を提供する。その手段として、処理容器内部の処理室に、フッ化水素およびアルコールのそれぞれの蒸気を含む処理用のガスを導入する導入口と、前記処理室に配置され、処理対象のウエハがその上面の載せられる試料台と、前記試料台の内部に配置され、前記ウエハの前記上面に形成された第1膜をエッチング処理する際、前記処理用のガスにより前記ウエハの前記上面上に形成される第1層に電界を形成する直流電力が印加される電極と、を有する、半導体製造装置を用いる。
関連特許文献
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