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1. WO2022065017 - 高周波モジュールおよび通信装置

公開番号 WO/2022/065017
公開日 31.03.2022
国際出願番号 PCT/JP2021/032760
国際出願日 07.09.2021
IPC
H01L 23/02 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23半導体または他の固体装置の細部
02容器,封止
H01L 25/18 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
25複数の個々の半導体または他の固体装置からなる組立体
18装置がグループH01L27/00~H01L51/00の同じメイングループの2つ以上の異なるサブグループに分類される型からなるもの
H01L 25/04 2014.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
25複数の個々の半導体または他の固体装置からなる組立体
03すべての装置がグループH01L27/00~H01L51/00の同じサブグループに分類される型からなるもの,例.整流ダイオードの組立体
04個別の容器を持たない装置
H04B 1/00 2006.1
H電気
04電気通信技術
B伝送
1グループH04B3/00~H04B13/00の単一のグループに包含されない伝送方式の細部;伝送媒体によって特徴づけられない伝送方式の細部
H04B 1/38 2015.1
H電気
04電気通信技術
B伝送
1グループH04B3/00~H04B13/00の単一のグループに包含されない伝送方式の細部;伝送媒体によって特徴づけられない伝送方式の細部
38送受信機,すなわち送信機と受信機とが1つの構造ユニットを形成し,かつ少なくとも一部分は送信および受信機能のために用いられる装置
H03F 1/26 2006.1
H電気
03基本電子回路
F増幅器
1増幅素子として電子管のみ,半導体装置のみまたは汎用素子のみを用いた増幅器の細部
26増幅素子によって発生する雑音の影響を低減するための増幅器の変形
CPC
H01L 23/02
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
02Containers; Seals
H01L 25/04
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
25Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; ; Multistep manufacturing processes thereof
03all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L51/00, e.g. assemblies of rectifier diodes
04the devices not having separate containers
H01L 25/18
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
25Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; ; Multistep manufacturing processes thereof
18the devices being of types provided for in two or more different subgroups of the same main group of groups H01L27/00 - H01L51/00
H03F 1/26
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
FAMPLIFIERS
1Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
26Modifications of amplifiers to reduce influence of noise generated by amplifying elements
H03F 3/189
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
FAMPLIFIERS
3Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
189High frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
H03F 3/24
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
FAMPLIFIERS
3Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
20Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
24of transmitter output stages
出願人
  • 株式会社村田製作所 MURATA MANUFACTURING CO., LTD. [JP]/[JP]
発明者
  • 上嶋 孝紀 UEJIMA, Takanori
  • 北嶋 宏通 KITAJIMA, Hiromichi
代理人
  • 吉川 修一 YOSHIKAWA, Shuichi
  • 傍島 正朗 SOBAJIMA, Masaaki
優先権情報
2020-16061925.09.2020JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (ja)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) HIGH-FREQUENCY MODULE AND COMMUNICATION DEVICE
(FR) MODULE HAUTE FRÉQUENCE ET DISPOSITIF DE COMMUNICATION
(JA) 高周波モジュールおよび通信装置
要約
(EN) A high-frequency module (1A) comprises a module substrate (91) having a main surface (91a), a first circuit component and second circuit component positioned on the main surface (91a), and a metal shield plate (70) positioned on the main surface (91a) and set to a ground potential. The metal shield plate (70) has a shield part (71) that extends in a direction perpendicular to the main surface (91a), and a joining part (74) that is parallel to the main surface (91a) and extends from the shield part (71) with a gap from the main surface (91a). The top surface of the first circuit component and/or the second circuit component, and the joining part (74), are connected with a bonding wire (81), and when the module substrate (91) is viewed in plan view, the metal shield plate (70) is positioned between the first circuit component and the second circuit component.
(FR) L'invention concerne un module haute fréquence (1A) qui comprend un substrat de module (91) ayant une surface principale (91a), un premier composant de circuit et un second composant de circuit positionnés sur la surface principale (91a), et une plaque de blindage métallique (70) positionnée sur la surface principale (91a) et fixée à un potentiel de masse. La plaque de blindage métallique (70) présente une partie de protection (71) qui s'étend dans une direction perpendiculaire à la surface principale (91a), et une partie de jonction (74) qui est parallèle à la surface principale (91a) et qui s'étend à partir de la partie de protection (71) avec un espace à partir de la surface principale (91a). La surface supérieure du premier composant de circuit et/ou du second composant de circuit, et la partie de jonction (74), sont connectées à un fil de liaison (81), et lorsque le substrat de module (91) est vu en vue en plan, la plaque de blindage métallique (70) est positionnée entre le premier composant de circuit et le second composant de circuit.
(JA) 高周波モジュール(1A)は、主面(91a)を有するモジュール基板(91)と、主面(91a)に配置された第1回路部品および第2回路部品と、主面(91a)上に配置され、グランド電位に設定された金属シールド板(70)と、を備え、金属シールド板(70)は、主面(91a)の垂直方向に延びるシールド部(71)と、主面(91a)と平行かつ主面(91a)と離間してシールド部(71)から延びる接合部(74)と、を有し、第1回路部品および第2回路部品の少なくとも一方の天面と接合部(74)とは、ボンディングワイヤ(81)で接続されており、モジュール基板(91)を平面視した場合、金属シールド板(70)は、第1回路部品と第2回路部品との間に配置されている。
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