(EN) A semiconductor laser device according to the present disclosure is characterized by comprising: a first conductivity-type clad layer (3), a first-conductivity-type side optical guide layer (61), an active layer (7), a second-conductivity-type side optical guide layer (81), a second conductivity-type clad layer (11), and a second conductivity-type contact layer (14) which are all layered on a semiconductor substrate (2); a resonator comprising a front end surface and a rear end surface; and a ridge region through which a laser beam is waveguided between the front end surface and the rear end surface. The ridge region comprises a ridge-inside region which has an effective refractive index of na
i and a ridge-outside region which is provided to opposite sides of the ridge-inside region, has a current non-injection structure, and has an effective refractive index of na
o, and a ridge-outside-region width Wo is larger than a distance from the lower end of the current non-injection structure to the active layer.
(FR) Un dispositif laser à semi-conducteur selon la présente divulgation est caractérisé en ce qu'il comprend : une première couche de revêtement de type à conductivité (3), une couche de guidage optique côté premier type de conductivité (61), une couche photoactive (7), une couche de guidage optique côté second type de conductivité (81), une seconde couche de revêtement de type à conductivité (11) et une seconde couche de contact de type à conductivité (14) qui sont toutes disposées en couches sur un substrat à semi-conducteur (2) ; un résonateur comprenant une surface d'extrémité avant et une surface d'extrémité arrière ; et une région de nervure à travers laquelle un faisceau laser est guidé par ondes entre la surface d'extrémité avant et la surface d'extrémité arrière. La région de nervure comprend une région à l'intérieur de la nervure qui a un indice de réfraction effectif de na i et une région à l'extérieur de la nervure qui est disposée sur les côtés opposés de la région à l'intérieur de la nervure, présente une structure de non-injection actuelle, et a un indice de réfraction efficace de na o, et une largeur de région à l'extérieur de la nervure Wo est supérieure à une distance de l'extrémité inférieure de la structure de non-injection actuelle à la couche photoactive.
(JA) 本開示の半導体レーザ装置は、半導体基板（２）上に積層された第１導電型のクラッド層（３）、第１導電型側の光ガイド層（６１）、活性層（７）、第２導電型側の光ガイド層（８１）、第２導電型のクラッド層（１１）及び第２導電型のコンタクト層（１４）と、前端面と後端面からなる共振器と、前端面と後端面の間でレーザ光を導波するリッジ領域と、を備え、リッジ領域は、実効屈折率がｎａｉであるリッジ内側領域と、リッジ内側領域の両側に設けられ実効屈折率がｎａｏである電流非注入構造を有するリッジ外側領域からなり、リッジ外側領域幅のＷｏは、電流非注入構造の下端部から活性層までの距離よりも大きいことを特徴とする。
