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1. WO2022059052 - パワー半導体モジュール

公開番号 WO/2022/059052
公開日 24.03.2022
国際出願番号 PCT/JP2020/034824
国際出願日 15.09.2020
IPC
H01L 23/12 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23半導体または他の固体装置の細部
12マウント,例.分離できない絶縁基板
H01L 25/00 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
25複数の個々の半導体または他の固体装置からなる組立体
H01L 25/07 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
25複数の個々の半導体または他の固体装置からなる組立体
03すべての装置がグループH01L27/00~H01L51/00の同じサブグループに分類される型からなるもの,例.整流ダイオードの組立体
04個別の容器を持たない装置
07装置がグループH01L29/00に分類された型からなるもの
H01L 25/18 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
25複数の個々の半導体または他の固体装置からなる組立体
18装置がグループH01L27/00~H01L51/00の同じメイングループの2つ以上の異なるサブグループに分類される型からなるもの
CPC
H01L 23/12
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
12Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
H01L 25/00
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
25Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; ; Multistep manufacturing processes thereof
H01L 25/07
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
25Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; ; Multistep manufacturing processes thereof
03all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L51/00, e.g. assemblies of rectifier diodes
04the devices not having separate containers
07the devices being of a type provided for in group H01L29/00
H01L 25/18
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
25Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; ; Multistep manufacturing processes thereof
18the devices being of types provided for in two or more different subgroups of the same main group of groups H01L27/00 - H01L51/00
出願人
  • 株式会社三社電機製作所 SANSHA ELECTRIC MANUFACTURING CO.,LTD. [JP]/[JP]
発明者
  • 西村 直樹 NISHIMURA Naoki
  • 深井 真志 FUKAI Masashi
代理人
  • 大槻 聡 OHTSUKI Satoshi
優先権情報
公開言語 (言語コード) 日本語 (ja)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) POWER SEMICONDUCTOR MODULE
(FR) MODULE À SEMI-CONDUCTEUR D'ALIMENTATION
(JA) パワー半導体モジュール
要約
(EN) The purpose of the present invention is to provide a power semiconductor module capable of high frequency operation with little on-resistance. This power semiconductor module comprises: a semiconductor chip 2 for power supply, the semiconductor chip 2 having a voltage driven-type switching element formed therein and a gate electrode 20G provided on a primary surface thereof; a heat dissipation plate 3 that is disposed facing the primary surface of the semiconductor chip 2 and that dissipates the heat of the semiconductor chip 2; a wiring board 4 that is disposed between the semiconductor chip 2 and the heat dissipation plate 3 and that has formed therein a gate wiring pattern 40G connected to an external terminal 6S; an interposer 5 that forms a gate resistor 50 interposed between the gate electrode 20G and the gate wiring pattern 40G on a plate-like base material disposed between the semiconductor chip 2 and the wiring board 4; and a resin housing 7 that encapsulates the semiconductor chip 2, the wiring board 4, and the interposer 5.
(FR) L'objet de la présente invention est de fournir un module à semi-conducteur d'alimentation susceptible de fonctionner à haute fréquence avec une faible résistance à l'état passant. Ce module à semi-conducteur d'alimentation comprend : une puce à semi-conducteur (2) pour l'alimentation électrique, la puce à semi-conducteur (2) comprenant un élément de commutation du type commandé par tension formé en son sein et une électrode de grille (20G) disposée sur une surface principale de celle-ci ; une plaque de dissipation de chaleur (3) qui est disposée en regard de la surface principale de la puce à semi-conducteur (2) et qui dissipe la chaleur de la puce à semi-conducteur (2) ; un tableau de connexions (4) qui est disposé entre la puce à semi-conducteur (2) et la plaque de dissipation de chaleur (3) et qui a formé en son sein un motif de câblage de grille (40G) connecté à une borne externe (6S) ; un interposeur (5) qui forme une résistance de grille (50) interposée entre l'électrode de grille (20G) et le motif de câblage de grille (40G) sur un matériau de base en forme de plaque disposé entre la puce à semi-conducteur (2) et le tableau de connexions (4) ; et un boîtier en résine (7) qui encapsule la puce à semi-conducteur (2), le tableau de connexions (4) et l'interposeur (5).
(JA) オン抵抗が小さく、高周波動作することができるパワー半導体モジュールを提供することを目的とする。 【解決手段】 電圧駆動型スイッチング素子が形成され、主面上にゲート電極20Gが設けられた電源供給用の半導体チップ2と、半導体チップ2の前記主面に対向して配置され、半導体チップ2の放熱を行う放熱板3と、半導体チップ2及び放熱板3の間に配置され、外部端子6Sに接続されるゲート用配線パターン40Gが形成された配線基板4と、半導体チップ2及び配線基板4の間に配置される板状基材に、ゲート電極20G及びゲート用配線パターン40G間に介在させるゲート抵抗50を形成したインターポーザー5と、半導体チップ2、配線基板4及びインターポーザー5を封止する樹脂筐体7と、を備える。
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