(EN) The purpose of the present invention is to provide a power semiconductor module capable of high frequency operation with little on-resistance. This power semiconductor module comprises: a semiconductor chip 2 for power supply, the semiconductor chip 2 having a voltage driven-type switching element formed therein and a gate electrode 20G provided on a primary surface thereof; a heat dissipation plate 3 that is disposed facing the primary surface of the semiconductor chip 2 and that dissipates the heat of the semiconductor chip 2; a wiring board 4 that is disposed between the semiconductor chip 2 and the heat dissipation plate 3 and that has formed therein a gate wiring pattern 40G connected to an external terminal 6S; an interposer 5 that forms a gate resistor 50 interposed between the gate electrode 20G and the gate wiring pattern 40G on a plate-like base material disposed between the semiconductor chip 2 and the wiring board 4; and a resin housing 7 that encapsulates the semiconductor chip 2, the wiring board 4, and the interposer 5.
(FR) L'objet de la présente invention est de fournir un module à semi-conducteur d'alimentation susceptible de fonctionner à haute fréquence avec une faible résistance à l'état passant. Ce module à semi-conducteur d'alimentation comprend : une puce à semi-conducteur (2) pour l'alimentation électrique, la puce à semi-conducteur (2) comprenant un élément de commutation du type commandé par tension formé en son sein et une électrode de grille (20G) disposée sur une surface principale de celle-ci ; une plaque de dissipation de chaleur (3) qui est disposée en regard de la surface principale de la puce à semi-conducteur (2) et qui dissipe la chaleur de la puce à semi-conducteur (2) ; un tableau de connexions (4) qui est disposé entre la puce à semi-conducteur (2) et la plaque de dissipation de chaleur (3) et qui a formé en son sein un motif de câblage de grille (40G) connecté à une borne externe (6S) ; un interposeur (5) qui forme une résistance de grille (50) interposée entre l'électrode de grille (20G) et le motif de câblage de grille (40G) sur un matériau de base en forme de plaque disposé entre la puce à semi-conducteur (2) et le tableau de connexions (4) ; et un boîtier en résine (7) qui encapsule la puce à semi-conducteur (2), le tableau de connexions (4) et l'interposeur (5).
(JA) オン抵抗が小さく、高周波動作することができるパワー半導体モジュールを提供することを目的とする。 【解決手段】 電圧駆動型スイッチング素子が形成され、主面上にゲート電極20Gが設けられた電源供給用の半導体チップ2と、半導体チップ2の前記主面に対向して配置され、半導体チップ2の放熱を行う放熱板3と、半導体チップ2及び放熱板3の間に配置され、外部端子6Sに接続されるゲート用配線パターン40Gが形成された配線基板4と、半導体チップ2及び配線基板4の間に配置される板状基材に、ゲート電極20G及びゲート用配線パターン40G間に介在させるゲート抵抗50を形成したインターポーザー5と、半導体チップ2、配線基板4及びインターポーザー5を封止する樹脂筐体7と、を備える。