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1. WO2022054721 - パターン形成方法

公開番号 WO/2022/054721
公開日 17.03.2022
国際出願番号 PCT/JP2021/032509
国際出願日 03.09.2021
IPC
G03F 7/038 2006.1
G物理学
03写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
Fフォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
004感光材料
038不溶性又は特異的に親水性になる高分子化合物
G03F 7/039 2006.1
G物理学
03写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
Fフォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
004感光材料
039光分解可能な高分子化合物,例.ポジ型電子レジスト
G03F 7/20 2006.1
G物理学
03写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
Fフォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
20露光;そのための装置
G03F 7/32 2006.1
G物理学
03写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
Fフォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
26感光材料の処理;そのための装置
30液体手段を用いる画像様除去
32そのための液体組成物,例.現像剤
H01L 21/027 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
027その後のフォトリソグラフィック工程のために半導体本体にマスクするもので,グループH01L21/18またはH01L21/34に分類されないもの
CPC
G03F 7/038
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
004Photosensitive materials
038Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
G03F 7/039
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
004Photosensitive materials
039Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
G03F 7/20
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
20Exposure; Apparatus therefor
G03F 7/32
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
26Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
30Imagewise removal using liquid means
32Liquid compositions therefor, e.g. developers
H01L 21/027
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
027Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
出願人
  • 富士フイルム株式会社 FUJIFILM CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 土橋 徹 TSUCHIHASHI Toru
  • 高橋 智美 TAKAHASHI Satomi
代理人
  • 伊東 秀明 ITOH Hideaki
  • 三橋 史生 MITSUHASHI Fumio
優先権情報
2020-15041808.09.2020JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (ja)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) PATTERN FORMATION METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE FORMATION DE MOTIF
(JA) パターン形成方法
要約
(EN) The present invention addresses the problem of providing a pattern formation method capable of forming a fine pattern which has a good pattern shape and in which defect generation is suppressed even when the pattern is formed by exposing an active light-sensitive or radiation-sensitive film having a thickness of 10 μm or more with KrF light. This pattern formation method comprises: (i) a step for forming an active light-sensitive or radiation-sensitive film having a thickness of 10 μm or more using an active light-sensitive or radiation-sensitive resin composition; (ii) a step for irradiating the active light-sensitive or radiation-sensitive film with KrF light; and (iii) a step for forming a negative type pattern by developing the active light-sensitive or radiation-sensitive film irradiated with the KrF light using a developing solution. The developing solution contains an organic solvent and a minor component, and the developing solution contains, as the minor component, 100-3000 mass ppm compound bearing a hydroxyl group in total with respect to the total mass of the developing solution.
(FR) La présente invention aborde le problème consistant à fournir un procédé de formation de motif apte à former un motif fin qui a une bonne forme de motif et dans lequel la génération de défaut est inhibée même lorsque le motif est formé par exposition d'un film sensible à la lumière active ou sensible au rayonnement ayant une épaisseur de 10 µm ou plus à une lumière KrF. Ce procédé de formation de motif comprend : (I) une étape de formation d'un film actif sensible à la lumière ou sensible au rayonnement ayant une épaisseur de 10 µm ou plus à l'aide d'une composition de résine sensible à la lumière active ou sensible au rayonnement ; (ii) une étape d'exposition du film sensible à la lumière active ou sensible au rayonnement à une lumière KrF ; et (iii) une étape de formation d'un motif de type négatif par développement du film sensible à la lumière active ou sensible au rayonnement exposé à la lumière KrF à l'aide d'une solution de développement. La solution de développement contient un solvant organique et un composant mineur, et la solution de développement contient, en tant que constituant mineur, 100 à 3 000 ppm en masse d'un composé portant un groupe hydroxyle au total par rapport à la masse totale de la solution de développement.
(JA) 本発明の課題は、膜厚が10μm以上の感活性光線性又は感放射線性膜をKrF光で露光してパターン形成する場合においても、良好なパターン形状を有し欠陥の発生が抑制された微細なパターンを形成できる、パターン形成方法を提供することである。 本発明のパターン形成方法は、(i)感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いて、膜厚が10μm以上の感活性光線性又は感放射線性膜を形成する工程、(ii)上記感活性光線性又は感放射線性膜にKrF光を照射する工程、及び、(iii)上記KrF光が照射された感活性光線性又は感放射線性膜を、現像液を用いて現像してネガ型のパターンを形成する工程、を有するパターン形成方法であって、上記現像液が、有機溶剤と、微量成分とを含み、上記現像液が、上記微量成分として、水酸基を有する化合物を、上記現像液の全質量に対して、合計で100~3000質量ppm含む。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報