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1. WO2022054411 - 面発光レーザ装置、電子機器及び面発光レーザ装置の製造方法

公開番号 WO/2022/054411
公開日 17.03.2022
国際出願番号 PCT/JP2021/026962
国際出願日 19.07.2021
IPC
H01S 5/022 2021.1
H電気
01基本的電気素子
S光を増幅または生成するために,放射の誘導放出による光増幅を用いた装置;光領域以外の電磁放射の誘導放出を用いた装置
5半導体レーザ
02レーザ作用にとって本質的ではない構造的な細部または構成
022マウント;ハウジング
H01S 5/0233 2021.1
H電気
01基本的電気素子
S光を増幅または生成するために,放射の誘導放出による光増幅を用いた装置;光領域以外の電磁放射の誘導放出を用いた装置
5半導体レーザ
02レーザ作用にとって本質的ではない構造的な細部または構成
022マウント;ハウジング
0233レーザチップの取り付けの構成
H01S 5/0239 2021.1
H電気
01基本的電気素子
S光を増幅または生成するために,放射の誘導放出による光増幅を用いた装置;光領域以外の電磁放射の誘導放出を用いた装置
5半導体レーザ
02レーザ作用にとって本質的ではない構造的な細部または構成
022マウント;ハウジング
0239電気的または光学的素子の組合せ
H01S 5/183 2006.1
H電気
01基本的電気素子
S光を増幅または生成するために,放射の誘導放出による光増幅を用いた装置;光領域以外の電磁放射の誘導放出を用いた装置
5半導体レーザ
10光共振器の構造または形状
18表面放出型レーザ[7]
183垂直共振器を有するもの[7]
H01S 5/42 2006.1
H電気
01基本的電気素子
S光を増幅または生成するために,放射の誘導放出による光増幅を用いた装置;光領域以外の電磁放射の誘導放出を用いた装置
5半導体レーザ
40H01S5/02~H01S5/30に分類されない2個以上の半導体レーザの配列
42表面放出型レーザの配列
CPC
H01S 5/022
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
02Structural details or components not essential to laser action
022Mountings; Housings
H01S 5/0233
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
02Structural details or components not essential to laser action
022Mountings; Housings
0233Mounting configuration of laser chips
H01S 5/0239
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
02Structural details or components not essential to laser action
022Mountings; Housings
0239Combinations of electrical or optical elements
H01S 5/183
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
10Construction or shape of the optical resonator ; , e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
18Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
183having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
H01S 5/42
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
40Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
42Arrays of surface emitting lasers
出願人
  • ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 御友 重吾 MITOMO Jugo
代理人
  • 渡邊 薫 WATANABE Kaoru
優先権情報
2020-15117709.09.2020JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (ja)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SURFACE EMITTING LASER DEVICE, ELECTRONIC APPARATUS, AND METHOD FOR MANUFACTURING SURFACE EMITTING LASER DEVICE
(FR) DISPOSITIF LASER À ÉMISSION PAR LA SURFACE, APPAREIL ÉLECTRONIQUE, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF LASER À ÉMISSION PAR LA SURFACE
(JA) 面発光レーザ装置、電子機器及び面発光レーザ装置の製造方法
要約
(EN) The purpose of the present invention is to provide a surface emitting laser device which can suppress damage to an element unit while inhibiting variation in the interval between the element unit and a driver unit. The present technology is a surface emitting laser device (1), comprising: an element unit (10) including an element arrangement area (EA) in which a plurality of surface emitting laser elements (100) are arranged, and an adjacent area (AA) adjacent to the element arrangement area (EA); a driver unit (20) including a driver IC; a plurality of first bumps (BP1) individually joining each of the plurality of surface emitting laser elements (100) and the driver unit (20); and a plurality of second bumps (BP2) joining the adjacent area (AA) and the driver unit (20), wherein each of the plurality of first bumps (BP1) and the plurality of second bumps (BP2) includes a conductive material which is not susceptible to being crushed by pressing, and the plurality of second bumps (BP2) are arranged at a higher density than the plurality of first bumps (BP1).
(FR) L'objectif de la présente invention est de fournir un dispositif laser à émission par la surface qui peut supprimer un endommagement d'une unité d'élément tout en empêchant une variation de l'intervalle entre l'unité d'élément et une unité d'entraînement. La présente technologie est un dispositif laser à émission par la surface (1), comprenant : une unité d'élément (10) comprenant une zone d'agencement d'éléments (EA) dans laquelle une pluralité d'éléments laser à émission par la surface (100) sont disposés, et une zone adjacente (AA) adjacente à la zone d'agencement d'éléments (EA) ; une unité d'entraînement (20) comprenant un circuit intégré d'entrainement ; une pluralité de premières bosses (BP1) joignant individuellement chaque élément de la pluralité d'éléments laser à émission par la surface (100) et l'unité d'entraînement (20) ; et une pluralité de secondes bosses (BP2) joignant la zone adjacente (AA) et l'unité d'entraînement (20), chacune de la pluralité de premières bosses (BP1) et la pluralité de secondes bosses (BP2) comprend un matériau conducteur qui n'est pas susceptible d'être broyé par pression, et la pluralité de secondes bosses (BP2) sont agencées à une densité plus élevée que la pluralité de premières bosses (BP1).
(JA) 素子ユニットの破損を抑制しつつ、素子ユニットとドライバユニットとの間隔のばらつきを抑制できる面発光レーザ装置を提供することを主目的とする。 本技術は、複数の面発光レーザ素子(100)が配置された素子配置領域(EA)と、素子配置領域(EA)に隣接する隣接領域(AA)とを含む素子ユニット(10)と、ドライバICを含むドライバユニット(20)と、複数の面発光レーザ素子(100)の各々とドライバユニット(20)とを個別に接合する複数の第1のバンプ(BP1)と、隣接領域(AA)とドライバユニット(20)とを接合する複数の第2のバンプ(BP2)と、を備え、複数の第1のバンプ(BP1)及び複数の第2のバンプ(BP2)の各々は、加圧により潰れにくくなる導電性材料を含み、複数の第2のバンプ(BP2)は、複数の第1のバンプ(BP1)よりも高密度に配置されている、面発光レーザ装置(1)である。
関連特許文献
国際事務局に記録されている最新の書誌情報